メモリ大手のキオクシア、AIデータセンター向けに332層フラッシュメモリを出荷、株価は乱高下したのち10%超急騰

TradingKey - 7月3日のアジア市場の取引時間中、メモリ半導体大手のキオクシアは、第10世代「BiCS FLASH」3Dフラッシュメモリ技術を採用した製品の顧客向けサンプル出荷を正式に開始したと発表した。332層の積層アーキテクチャを誇るこの1Tb TLCチップは、AIデータセンターにおける大容量・低消費電力ストレージへの爆発的な需要を直接のターゲットとしており、AIインフラを巡る「メモリ戦争」が新たな局面に入ったことを示している。

日経平均株価が取引序盤に上値の重い展開となり、市場心理の変動によってキオクシアの株価は当初9%超下落したものの、新製品の技術的詳細が消化されるにつれて株価は急速にプラスに転じ、10%超急騰して力強い反発を見せた。本稿執筆時点で、キオクシアの株価は10.07%高の8万3,940円で推移している。これに先立ち、AIブームの恩恵を受けたキオクシアの時価総額はトヨタ自動車を抜いて日本一となっていた。

［情報源：Futu］

現在サンプル出荷が行われているこの第10世代製品は、技術面で大きな飛躍を遂げている。第8世代で導入された「CBA（CMOS directly Bonded to Array）」技術を活用することで、この次世代フラッシュメモリは前世代比33%増となる4.8Gb/sのNANDインターフェース速度を達成している。また、最大332層の垂直積層と最適化された平面密度の組み合わせにより、ビット密度は59%という驚異的な向上を記録した。さらに重要な点として、読み出しと書き込みのエネルギー効率がそれぞれ18%と30%向上しており、データセンターにおける高消費電力という深刻な課題に直接対応している。

この新製品は、岩手県北上市にあるキオクシアの北上工場第2製造棟（Fab2）で製造される。同拠点は、332層フラッシュメモリの生産を拡大できる世界で唯一のファシリティである。

300層を超えるフラッシュメモリ分野において、サムスンやSKハイニックスといった競合他社との激しい競争に直面する中、キオクシアは「BiCS 10」の先発優位性を活かし、AIデータセンターのサプライチェーンにおける地位を確保するために総力を挙げている。市場関係者によると、同製品の量産は2027年に北上工場で開始される見込みだ。