【券商聚焦】招銀國際：在碳化硅和氮化鎵的帶動下 寬禁帶半導體行業正步入一個全新的增長階段

金吾財訊 | 招銀國際表示認爲，在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的帶動下，寬禁帶半導體行業正步入一個全新的、多年持續的增長階段。汽車電動化依然是核心的長期驅動力，但更具結構性的新需求前沿正在打開，即AI數據中心的電力架構重構。行業正從傳統54V直流供電（DC）加速邁向800V高壓直流（HVDC）架構，這一轉變對新一代高功率AI機架至關重要，而其物理和經濟可行性都高度依賴SiC和GaN的應用。這一演進正把相關材料的定位，從單純的“性能增強器”提升爲“關鍵基礎設施組件”，由此形成一個具備高度延續性的投資主線。該機構預計，那些具備規模優勢、在8英寸晶圓上技術領先、擁有車規級認證產品管線，並具備系統級解決方案能力的企業，將成爲本輪趨勢中的主要受益者。

根據TrendForce數據，2024年全球SiC功率器件市場規模約34億美元，同比增長12%，其中汽車應用佔比超過70%；GaN器件市場則同比增長43%，達到約3.88億美元。該機構預計隨着在汽車和可再生能源領域的滲透率持續提升，以及AI數據中心等新興應用的打開，SiC和GaN市場仍將保持穩健擴張。

AI數據中心成爲結構性需求前沿。隨着AI機架單機功率向1MW推進，傳統供電架構在電流上限、銅耗壓力以及能效瓶頸等約束下，正逐步變得低效。行業正在向800V HVDC架構演進，這一升級同樣依賴SiC和GaN才能在物理與成本層面成立。該趨勢將爲上下游生態帶來多層次的增量機會：數據中心電力使用效率（PUE）有望最高改善約5%，整體擁有成本（TCO）有望最高降低約30%，同時爲機架功率擴展至1MW以上提供可擴展性基礎。

該機構繼續看好英諾賽科(02577，買入，目標價：49 港元)，其爲純 GaN 領域的龍頭企業，根據 TrendForce 數據，2024年市佔率約 30%，位居全球第一。該機構預計公司在 2024-2027E 年間的收入將實現約 55.2% 的複合年增長率，主要受益於行業順風、清晰的戰略定位，以及與 NVIDIA 等全球合作伙伴的協同推進。潛在風險包括：1）GaN 滲透率不及預期；2）供應鏈擾動；3）知識產權相關訴訟。