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金吾財訊 | 據媒體報道,安森美半導體(ON)與英諾賽科今日共同宣佈雙方已簽署一份備忘錄(MOU)。雙方計劃結合安森美在系統集成、驅動器、封裝上的專業知識和英諾賽科的GaN晶圓製造領導力,以英諾賽科的200mm(即八英寸)硅基GaN技術平臺擴大安森美40~200V中低電壓GaN功率器件的製造規模。加速推動氮化鎵在新能源汽車、人工智能、數據中心,工業等領域的快速落地。
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