中國去年四季度半導體設備進口創歷史新高，12月單月“一枝獨秀”

• 中國去年四季度半導體設備進口額創新高
• 12月單月走勢強勁，制裁落地前加速囤貨
• 分析稱12月的勢頭料無法延續
• 今年增長仍面臨多重逆風

作者 林宇涵

路透北京1月22日 - 中國海關總署最新數據顯示，去年四季度，中國進口半導體製造設備金額環比走升，創下歷史新高，得益於12月單月的“一枝獨秀”。分析人士認為，近期設備進口的強勢凸顯美國出口管制新規落地前的囤貨努力，但這可能是短暫的，今年的增長仍面臨多重逆風。

路透根據海關總署公布的數據進行統計，中國2024年四季度進口半導體製造設備（SPE）總值達到創紀錄的131.95億美元，稍高於上年同期的131.91億美元，環比則增長10%；全年SPE進口總值則超過2023年的396億美元，達到約470億美元的歷史新高。

具體來看，四季度晶圓製造設備（WFE）進口總值93.8億美元，環比增6.2%，同比增0.3%，亦成為歷史最大單季值；全年進口總值定格在335.1億美元，同比增速回落至22.3%。

12月單月WFE進口錄得歷史最高的45.3億美元，同比勁增35.3%，環比更是激增91.1%。

富瑞（Jefferies）分析師報告指出，12月進口的復甦可能只是短暫的：考慮到美國出口管制的加碼，這一現象可能是由於海外設備商在新的禁令前加速交付所致。

一些投資者對2025年中國半導體設備進口的動能持懷疑態度，認為近期的增長得益於需求前置。包括ASMLASML.AS、KLAKLAC.O在內的海外設備大廠此前均預計，今年中國區的銷售占比將出現下降。

富瑞表示，中國今年的資本開支將面臨三大下行風險：首先，受到美國制裁的中國晶圓製造商將難以購買一些配套的關鍵設備；其次，被制裁的本土設備商的部件供應鏈也將受到衝擊，交付成本和時間受到影響；最後，晶圓製造領域的整合重組迫在眉睫，一些新廠就不太可能再進行擴產。

拜登政府去年12月發起第三輪對華半導體出口管制，被列入商務部實體清單的一眾本土設備商成打擊重點，用於AI（人工智能）領域的HBM芯片出口亦遭限制。在離任前夕，拜登還圍繞AI推出多項出口管制措施，加強對中國獲取先進AI芯片能力的限制。

Bernstein分析師則認為，不排除2025年中國半導體設備進口延續強勢，因為中國政府對半導體廠商資本支出的支持力度可能比預期的要更大。

**四季度光刻機進口同比出現下滑**

路透根據海關數據計算，去年四季度，中國進口光刻設備總值約28億美元，環比降16.8%，同比則因2023年的高基數下滑3%。

其中，四季度從荷蘭進口光刻設備總值為24.6億美元，較三季度的歷史極值下滑約20%，同比降5.2%。

據富瑞統計，12月單月WFE設備進口的強勢主要得益於沉積設備（+48%）和刻蝕設備（+92%）。隨著中國擴產更多轉向DRAM、HBM等存儲器產品，刻蝕設備在當前階段比光刻設備更為重要。

按國別計算，2024年全年設備進口總值排名前五（從大到小）的國家分別為日本、荷蘭、新加坡、美國和韓國。

拜登去年12月的出口管制新規並未將中國DRAM（動態隨機存取存儲器）製造巨頭--長鑫存儲納入實體清單，這或許讓來自美、日、荷的海外設備商鬆了口氣。得益於長鑫存儲在內的中國晶圓廠加速提升製造能力，一些海外設備廠商的對華銷售額在過去的幾個季度里連創新高。

在12月新規後，ASML發布聲明稱，預計美國最新出口限制的影響不會超過當前的2025年展望。荷蘭光刻巨頭2025年的中國業務將占凈銷售額的20%左右，較新規發布前保持不變。

為確保“自給自足”，中國在半導體製造的投資依然強勁。據摩根士丹利測算，中國DRAM產能已經達到全球的11%，這得益於長鑫存儲等廠商加速擴產。

或是為了反制拜登政府的對華成熟製程芯片貿易調查，中國商務部本月稍早表示，自美進口成熟製程芯片“低價衝擊國內市場”，將依法啟動調查。（完）

China_SPE_Imports_Quaterly_Q4 https://tmsnrt.rs/4jogPlc

China_SPE_Imports_Monthly_Country_Q4 https://tmsnrt.rs/4hrMnVh

China_WFE_Imports_Monthly_Q4 https://tmsnrt.rs/3E60KAn

China_Litho_Imports_Quaterly_NL_Q4 https://tmsnrt.rs/4gdUmUV

(審校 張喜良)

((yuhan.lin@thomsonreuters.com;))