SK海力士漲逾15%！花旗指中國記憶體廠商短期內不會衝擊市場，記憶體供需吃緊將持續至至少2027年

Tradingkey - 美東時間 7 月 30 日，SK 海力士 ADR（SKHY）股價在跌破發行價後，迎來了強烈反彈。截至發稿，大漲逾 15%，報 146.39 美元。

據悉，大和發布研究報告指出，認為 SK 海力士近期股價調整過度，建議投資人逢低承接，重申「買進」評等，惟因應記憶體同業估值下修，將目標本益比由 9.38 倍下調 20% 至 7.5 倍，12 個月目標價由 360 萬韓元下修至 300 萬韓元。

花旗則表示，AI 需求仍將推動記憶體及快閃記憶體晶片價格上漲，供需吃緊將持續到至少 2027 年。針對中國公司的產能爆發會導致記憶體、快閃記憶體市場惡性競爭的擔憂，花旗也給出了否定的看法，稱中國兩家公司在技術上依然受到產能限制，儘管 CXMT 長鑫存儲和 YMTC 長江存儲的產能擴張速度與全球同業相似，但進展仍集中在成熟的 DUV 製程上。

花旗認為中國在 EUV 技術上落後全球超過五年，這限制了其對領先記憶體市場的實質性顛覆能力。

SK 海力士 ADR 股價圖，來源：TradingView

此外，在高盛舉辦的韓國記憶體專家電話會議上，與會專家認為，傳統 DRAM 價格今年將保持「雙位數百分比」的強勁成長勢頭，HBM 明年存在大幅漲價甚至翻倍的空間，長期合約對市場的約束力正在增強，中國競爭對手短中期內威脅有限。

專家預計 2026 年第三季傳統 DRAM 價格將實現「雙位數百分比」的季成長，與近期現貨價格的強勁反彈相吻合。進入第四季，受持續供應短缺支撐，專家認為「再度實現雙位數季成長」同樣存在可能。他們認為，供給端沒有明顯放量，需求端 AI 伺服器持續拉動，價格自然易漲難跌。

HBM 的故事更為激進。專家認為，由於傳統 DRAM 價格上漲，HBM 定價明年「存在翻倍的可能性」。高盛自身的預測是：三星 HBM 價格 2027 年年增幅將達 87%，這一數字已高於彭步彙整的賣方共識預期 52%。

另一方面，市場一直擔憂中國記憶體廠商的擴產衝擊，但專家對此持保留態度。專家承認中國供應商正在積極擴產，但認為其「在短中期內成為領先廠商明顯威脅的可能性較低」。原因在於，中國廠商在生產良率、技術水準等方面與領先業者仍存在差距。簡單來說，他們認為擴產規模不等於有效供給，技術壁壘短期內難以逾越。

值得注意的是，SK 集團會長崔泰源買入 3,600 股 SK 海力士。按今日韓股 SK 海力士收盤價約 920 美元（1,322,000 韓元）計算，價值約合 331 萬美元。