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SK海力士涨超15%!花旗指中国存储厂商短期内不会冲击市场,内存供需紧张要持续到至少2027年

TradingKey
作者Andy Chen
2026年7月30日 14:55

AI播客

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美东时间7月30日,SK海力士ADR在前期调整后大幅反弹。机构观点普遍看好AI驱动下的存储器需求,花旗指出AI需求将支撑芯片价格涨势持续至2027年,并认为中国厂商受限于EUV技术代差,短中期内难以对头部企业构成实质威胁。高盛专家调研显示,传统DRAM价格有望维持两位数增长,HBM定价受供需紧缺影响,明年存在显著上涨空间。尽管大和基于同业估值下调了目标价,但仍维持“买入”评级。此外,SK集团会长崔泰源近期增持股票,显示管理层对公司前景的信心。投资者需关注内存技术壁垒及全球宏观供需波动风险。

该摘要由AI生成

Tradingkey - 美东时间7月30日,SK海力士ADR(SKHY)股价在破发后,迎来了暴力反弹。截至发稿,涨超15%,报146.39美元。

据悉,大和发研报指,认为SK海力士近期股价调整过度,建议投资者趁低吸纳,重申“买入”评级,惟因应记忆体同业估值下调,将目标市盈率由9.38倍下调20%至7.5倍,12个月目标价由360万韩元下调至300万韩元。

花旗则表示,AI需求仍将推动内存及闪存芯片价格上涨,供需紧张要持续到至少2027年。针对中国公司的产能爆发会导致内存、闪存市场内卷的担忧,花旗也给出了否定的看法,称中国两家公司在技术上依然受到产能限制,尽管CXMT长鑫和YMTC长江的产能扩张速度与全球同行相似,但进展仍集中在成熟的DUV工艺上。

花旗认为中国在EUV技术上落后全球超过五年,这限制了其对领先存储市场的实质性颠覆能力。

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SK海力士ADR股价图,来源:TradingView

此外,在高盛举办韩国存储专家电话会议上,与会专家认为,传统DRAM价格今年将保持“两位数百分比”的强劲增长势头,HBM明年存在大幅涨价甚至翻倍的空间,长期协议对市场的约束力正在增强,中国竞争对手短中期内威胁有限。

专家预计2026年三季度传统DRAM价格将实现"两位数百分比"的环比增长,与近期现货价格的强劲反弹相吻合。进入四季度,受持续供应短缺支撑,专家认为"再度实现两位数环比增长"同样存在可能。他们认为,供给端没有明显放量,需求端AI服务器持续拉动,价格自然易涨难跌。

HBM的故事更为激进。专家认为,由于传统DRAM价格上涨,HBM定价明年"存在翻倍的可能性"。高盛自身的预测是:三星HBM价格2027年同比涨幅将达87%,这一数字已高于彭博汇总的卖方一致预期52%。

另一方面,市场一直担忧中国存储厂商的扩产冲击,但专家对此持保留态度。专家承认中国供应商正在积极扩产,但认为其"在近中期内成为领先厂商明显威胁的可能性较低"。原因在于,中国厂商在生产良率、技术水平等方面与头部玩家仍存在差距。简单来说,他们认为扩产规模不等于有效供给,技术壁垒短期内难以逾越。

值得注意的是,SK集团会长崔泰源买入3600股SK海力士。按今日韩股SK海力士收盘价约920美元(1322000韩元)计算,价值约合约331万美元。

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