路透6月12日 - 美光科技MU.O周四表示,计划将其在美国国内内存制造领域的投资扩大到约1500亿美元,研发领域的投资扩大到500亿美元。
这家芯片制造商的股票在盘前交易中下跌了约1%。
美光表示,这标志着该公司将在先前计划的基础上追加 300 亿美元的投资。
新增投资将主要用于在爱达荷州博伊西建设第二个尖端存储器工厂,以及扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的现有生产设施。
美光的投资旨在为美国带来先进的封装能力--这是高带宽内存(HBM) 所必需的制造技术,该技术在人工智能市场得到了广泛应用。
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