【美股盘前】存储芯片板块集体反弹，DRAM ETF涨近7%，SK海力士ADR在即

芯片存储板块盘前集体反弹。DRAM ETF涨近7%，闪迪（SNDK）、西部数据（WDC）、希捷科技（STX）涨超4%，美光科技（MU）涨超2%。

半导体板块整体走高。英特尔（INTC）盘前涨超3.5%，消息面上公司上调部分消费级和服务器级CPU零售价，消费级产品上涨约30至50美元，服务器产品上涨数百美元至上千美元。

光通信板块盘前小幅反弹。迈威尔科技（MRVL）涨近4%，康宁（GLW）、Coherent（COHR）涨超1%。

算力租赁服务提供商盘前走高。甲骨文（ORCL）涨超3%，Nebius（NBIS）涨超2%，谷歌（GOOGL）、微软（MSFT）跟涨。

大型科技股盘前普涨。Meta（META）、特斯拉（TSLA）涨超1.5%，SpaceX（SPCX）、亚马逊（AMZN）涨超1%,苹果（AAPL）跌0.96%。

高盛（GS）喊话超跌反弹，芯片板块迎来修复窗口。 高盛交易台最新报告指出，此前领涨市场的动量股已出现初步逢低买入信号，短线具备战术反弹空间。本轮动量因子从高点累计下跌24%，创2023年一季度以来最大回撤，远超历史12%的平均调整幅度。机构判断本轮大跌并非AI产业基本面彻底反转，更多是夏季交投清淡、流动性不足带来的短期放大波动。不过高盛也提示风险：动量股持仓依旧高度拥挤，若市场持续去杠杆，后续最大回撤可能达到当前跌幅的两倍。

SK海力士本周五登陆纳斯达克，280亿美元IPO成全场焦点。 SK海力士预计将于7月10日（周五）在纳斯达克上市，超280亿美元的上市计划可能成为有史以来规模最大的外国公司美股IPO。SK海力士交易价格是其未来12个月预期收益的6.2倍，低于美光科技约7倍的估值水平。上市后有望改善估值折价局面，投资者将可直接交易这一HBM龙头标的。

三星电子明日发布Q2初步财报，盈利预计创历史新高。 三星电子将于本周二（7月7日）发布第二季度初步财报。华尔街普遍预期，受AI存储芯片（HBM）需求强劲和DRAM价格持续上涨推动，三星电子第二季度初步盈利将创历史新高。此前三星和SK海力士刚于6月底宣布超4800万亿韩元本土投资计划，市场将密切关注本次财报对后续资本开支和产能扩张的指引。

Anthropic斥资150亿美元赴澳布局1.4GW算力，AI基建军备赛逃离美国本土瓶颈。 据澳媒报道，Anthropic计划在澳大利亚建设至少1.4GW的数据中心算力资源，基础设施投资达150亿美元，目标明年年底前至少1GW投入运营。此举背景是美国本土数据中心面临电力短缺与社区阻力，黑石旗下QTS近期已终止弗吉尼亚州大型项目。Anthropic今年3月已与澳大利亚政府签署AI安全研究谅解备忘录。公司年化营收已从年初的90亿美元飙升至440亿美元以上，估值高达9650亿美元，并已提交IPO申请。

芯片板块经历上周剧烈抛售后迎来喘息窗口。高盛的短线抄底信号为市场注入信心，但持仓拥挤度与流动性风险仍是隐忧。本周经济数据相对清淡，市场焦点或集中在SK海力士IPO及消费巨头财报上。反弹能走多远，取决于后续市场情绪修复的速度与广度。