tradingkey.logo


Navitas Semiconductor Corp

NVTS
î˜đ
āļ”āļđāđāļœāļ™āļ āļđāļĄāļīāđ‚āļ”āļĒāļĨāļ°āđ€āļ­āļĩāļĒāļ”
10.070USD
+0.010+0.10%
āļ›āļīāļ” 01/09, 16:00ETāļĢāļēāļ„āļēāļĨāđˆāļēāļŠāđ‰āļē 15 āļ™āļēāļ—āļĩ
2.16BāļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļ•āļĨāļēāļ”
āļ‚āļēāļ”āļ—āļļāļ™P/E TTM

Intraday
1m
30m
1h
D
W
M
D

āļ§āļąāļ™āļ™āļĩāđ‰

+0.10%

5 āļ§āļąāļ™

+20.17%

1 āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™

+10.42%

6 āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™

+60.86%

āļ•āđ‰āļ™āļ›āļĩāļˆāļ™āļ–āļķāļ‡āļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™

+41.04%

1 āļ›āļĩ

+209.37%

āļ”āļđāđāļœāļ™āļ āļđāļĄāļīāđ‚āļ”āļĒāļĨāļ°āđ€āļ­āļĩāļĒāļ”

āļ„āļ°āđāļ™āļ™āļŦāļļāđ‰āļ™ TradingKey āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp

āļŠāļāļļāļĨāđ€āļ‡āļīāļ™: USD āļ­āļąāļ›āđ€āļ”āļ•āđ€āļĄāļ·āđˆāļ­: 2026-01-09

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāđ€āļŠāļīāļ‡āļĨāļķāļ

āļ›āļąāļˆāļˆāļąāļĒāļžāļ·āđ‰āļ™āļāļēāļ™āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āđˆāļ­āļ™āļ‚āđ‰āļēāļ‡ āđāļ‚āđ‡āļ‡āđāļāļĢāđˆāļ‡āļĄāļēāļāđāļĨāļ°āļĻāļąāļāļĒāļ āļēāļžāđƒāļ™āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āļ™āļąāđ‰āļ™ āļ”āļĩāļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļ›āļĢāļ°āđ€āļĄāļīāļ™āļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļ™āļĩāđ‰āļ–āļ·āļ­āļ§āđˆāļē āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļĒāļļāļ•āļīāļ˜āļĢāļĢāļĄāļ­āļąāļ™āļ”āļąāļš 68 āļˆāļēāļāļ—āļąāđ‰āļ‡āļŦāļĄāļ” 104 āđƒāļ™āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ āđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒāđāļĨāļ°āļ­āļļāļ›āļāļĢāļ“āđŒāđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒāđāļĨāļ°āļāļēāļĢāļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡āđ‚āļ”āļĒāļŠāļ–āļēāļšāļąāļ™āļ–āļ·āļ­āļ§āđˆāļē āļŠāļđāļ‡āļĄāļēāļāļ•āļĨāļ­āļ”āļŠāđˆāļ§āļ‡āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™āļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē āļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒāļŦāļĨāļēāļĒāļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļˆāļąāļ”āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāđ€āļ›āđ‡āļ™ āļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡ āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļŠāļđāļ‡āļŠāļļāļ”āļ—āļĩāđˆ 8.28āđƒāļ™āļĢāļ°āļĒāļ°āļāļĨāļēāļ‡ āļ„āļēāļ”āļ§āđˆāļēāļĢāļēāļ„āļēāļŦāļļāđ‰āļ™āļˆāļ° āļĄāļĩāđāļ™āļ§āđ‚āļ™āđ‰āļĄāļ‚āļēāļĨāļ‡āđāļĄāđ‰āļ§āđˆāļēāļ•āļĨāļēāļ”āļŦāļļāđ‰āļ™āđāļĨāļ°āļŠāļąāļāļāļēāļ“āļ—āļēāļ‡āđ€āļ—āļ„āļ™āļīāļ„āļˆāļ°āļ”āļđāđāļ‚āđ‡āļ‡āđāļāļĢāđˆāļ‡āđƒāļ™āļŠāđˆāļ§āļ‡āđ€āļ”āļ·āļ­āļ™āļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē āđāļ•āđˆāļ›āļąāļˆāļˆāļąāļĒāļžāļ·āđ‰āļ™āļāļēāļ™āļāļĨāļąāļšāđ„āļĄāđˆāļŠāļ™āļąāļšāļŠāļ™āļļāļ™āđāļ™āļ§āđ‚āļ™āđ‰āļĄāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™āļĢāļēāļ„āļēāļŦāļļāđ‰āļ™āļāļģāļĨāļąāļ‡āđ€āļ„āļĨāļ·āđˆāļ­āļ™āđ„āļŦāļ§āđƒāļ™āļāļĢāļ­āļšāđāļ„āļšāļĢāļ°āļŦāļ§āđˆāļēāļ‡āđāļ™āļ§āļĢāļąāļšāđāļĨāļ°āđāļ™āļ§āļ•āđ‰āļēāļ™ āļ—āļģāđƒāļŦāđ‰āđ€āļŦāļĄāļēāļ°āļŠāļģāļŦāļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ—āļĢāļ”āđāļšāļšāļŠāļ§āļīāļ‡āđƒāļ™āļāļĢāļ­āļšāļĢāļēāļ„āļē

āļ„āļ°āđāļ™āļ™āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡

āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāđƒāļ™āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
68 / 104
āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāļĢāļ§āļĄ
258 / 4562
āļ­āļļāļ•āļŠāļēāļŦāļāļĢāļĢāļĄ
āđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒāđāļĨāļ°āļ­āļļāļ›āļāļĢāļ“āđŒāđ€āļ‹āļĄāļīāļ„āļ­āļ™āļ”āļąāļāđ€āļ•āļ­āļĢāđŒ

āđāļ™āļ§āļ•āđ‰āļēāļ™ & āđāļ™āļ§āļĢāļąāļš

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļˆāļēāļāļ—āļēāļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—

āđāļœāļ™āļ āļđāļĄāļīāđ€āļĢāļ”āļēāļĢāđŒ

āļĢāļēāļ„āļēāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™
āļ„āļĢāļąāđ‰āļ‡āļāđˆāļ­āļ™

āļāļēāļĢāļ™āļģāđ€āļŠāļ™āļ­āļ‚āđˆāļēāļ§āļ‚āļ­āļ‡āļŠāļ·āđˆāļ­

24 āļŠāļąāđˆāļ§āđ‚āļĄāļ‡āļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē
āļĢāļ°āļ”āļąāļšāļāļēāļĢāļ™āļģāđ€āļŠāļ™āļ­āļ‚āđˆāļēāļ§

āļ•āđˆāļģāļĄāļēāļ
āļŠāļđāļ‡āļĄāļēāļ
āđ€āļ›āđ‡āļ™āļāļĨāļēāļ‡

āļˆāļļāļ”āđ€āļ”āđˆāļ™āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp

āļˆāļļāļ”āđāļ‚āđ‡āļ‡āļ„āļ§āļēāļĄāđ€āļŠāļĩāđˆāļĒāļ‡
Navitas Semiconductor Corporation is a power-semiconductor company. The Company is engaged in designing, developing and marketing power semiconductors, including gallium nitride (GaN) power integrated circuits (ICs), silicon carbide (SiC) power devices, associated silicon system controllers and digital isolators used in power conversion and charging. Power supplies incorporating its products are used in a variety of electronics products, including fast chargers for mobile phones and laptops, consumer electronics, data centers, solar inverters and electric vehicles, among numerous other applications. Its GaNFast power ICs integrate GaN power and drive, with control, sensing, and protection to enable faster charging, higher power density and energy savings. Its GeneSiC power devices are optimized with reliable SiC solutions. It also offers a range of SiC MOSFETs and diodes, which have lower resistance at higher temperatures, 25°C cooler and have three times longer device life expectancy.
āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āļŠāļđāļ‡
āļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āļ­āļĒāđˆāļēāļ‡āļ•āđˆāļ­āđ€āļ™āļ·āđˆāļ­āļ‡āļ•āļĨāļ­āļ” 3 āļ›āļĩāļ—āļĩāđˆāļœāđˆāļēāļ™āļĄāļē āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļ­āļąāļ•āļĢāļēāļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āđ€āļ‰āļĨāļĩāđˆāļĒāļ›āļĩāļ•āđˆāļ­āļ›āļĩāļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ 119.55%
āļāļģāļĨāļąāļ‡āđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•
āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļ­āļĒāļđāđˆāđƒāļ™āļŠāđˆāļ§āļ‡āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ• āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļĢāļ§āļĄāļ›āļĢāļ°āļˆāļģāļ›āļĩāļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ”āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ USD 83.30M
āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļŠāļđāļ‡āđ€āļāļīāļ™āļˆāļĢāļīāļ‡
PB āļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ”āļ‚āļ­āļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ 5.83 āļ‹āļķāđˆāļ‡āļ­āļĒāļđāđˆāđƒāļ™āļŠāđˆāļ§āļ‡āđ€āļ›āļ­āļĢāđŒāđ€āļ‹āđ‡āļ™āđ„āļ—āļĨāđŒāļŠāļđāļ‡āļŠāļļāļ”āļ‚āļ­āļ‡āļĢāļ­āļš 3 āļ›āļĩ
āļāļēāļĢāļ‚āļēāļĒāđ‚āļ”āļĒāļŠāļ–āļēāļšāļąāļ™
āļāļēāļĢāļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡āļĨāđˆāļēāļŠāļļāļ”āđ‚āļ”āļĒāļŠāļ–āļēāļšāļąāļ™āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ 92.57M āļŦāļļāđ‰āļ™ āļĨāļ”āļĨāļ‡ 19.04% āđāļšāļšāđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠāļ•āđˆāļ­āđ„āļ•āļĢāļĄāļēāļŠ
āļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡āđ‚āļ”āļĒ PRFDX
āļ™āļąāļāļĨāļ‡āļ—āļļāļ™āļŠāļ·āđˆāļ­āļ”āļąāļ‡ PRFDX āļ–āļ·āļ­āļŦāļļāđ‰āļ™āļ•āļąāļ§āļ™āļĩāđ‰āļ­āļĒāļđāđˆāļˆāļģāļ™āļ§āļ™ 13.00K āļŦāļļāđ‰āļ™
āļāļīāļˆāļāļĢāļĢāļĄāļāļēāļĢāļ•āļĨāļēāļ”āļ•āđˆāļģāļĨāļ‡
āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—āđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļ„āļ§āļēāļĄāļŠāļ™āđƒāļˆāļˆāļēāļāļ™āļąāļāļĨāļ‡āļ—āļļāļ™āļ™āđ‰āļ­āļĒāļĨāļ‡ āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļ­āļąāļ•āļĢāļēāļŦāļĄāļļāļ™āđ€āļ§āļĩāļĒāļ™āļāļēāļĢāļ‹āļ·āđ‰āļ­āļ‚āļēāļĒ 20 āļ§āļąāļ™āļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ 0.82

āļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒ

āļ­āđ‰āļēāļ‡āļ­āļīāļ‡āļˆāļēāļāļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒāļ—āļąāđ‰āļ‡āļŦāļĄāļ” 9 āļ„āļ™
āļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡
āļ„āļ°āđāļ™āļ™āļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™
8.275
āļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒ
-8.56%
āđ‚āļ­āļāļēāļŠāđƒāļ™āļāļēāļĢāđ€āļ•āļīāļšāđ‚āļ•āļ‚āļ­āļ‡āļĢāļēāļ„āļē
āļ„āļģāļŠāļĩāđ‰āđāļˆāļ‡: āļāļēāļĢāļˆāļąāļ”āļ­āļąāļ™āļ”āļąāļšāđāļĨāļ°āļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāđ‚āļ”āļĒāļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒāļˆāļąāļ”āļ—āļģāđ‚āļ”āļĒ LSEG āđ€āļžāļ·āđˆāļ­āļ§āļąāļ•āļ–āļļāļ›āļĢāļ°āļŠāļ‡āļ„āđŒāđƒāļ™āļāļēāļĢāđƒāļŦāđ‰āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāđ€āļ—āđˆāļēāļ™āļąāđ‰āļ™ āđāļĨāļ°āđ„āļĄāđˆāļ–āļ·āļ­āđ€āļ›āđ‡āļ™āļ„āļģāđāļ™āļ°āļ™āļģāđƒāļ™āļāļēāļĢāļĨāļ‡āļ—āļļāļ™

Navitas Semiconductor Corp āļ‚āđˆāļēāļ§āļŠāļēāļĢ

āļˆāļ°āļĄāļĩāļ‚āđˆāļēāļ§āļŠāļēāļĢāđ€āļžāļīāđˆāļĄāđ€āļ•āļīāļĄāđ€āļĢāđ‡āļ§āđ† āļ™āļĩāđ‰ āđ‚āļ›āļĢāļ”āļ•āļīāļ”āļ•āļēāļĄ...

āļ•āļąāļ§āļŠāļĩāđ‰āļ§āļąāļ”āļ—āļēāļ‡āļāļēāļĢāđ€āļ‡āļīāļ™î˜

EPS

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļˆāļēāļāļ—āļēāļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—

āļĢāļēāļĒāđ„āļ”āđ‰āļĢāļ§āļĄ

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨāļ—āļĩāđˆāđ€āļāļĩāđˆāļĒāļ§āļ‚āđ‰āļ­āļ‡āļĒāļąāļ‡āđ„āļĄāđˆāđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļāļēāļĢāđ€āļ›āļīāļ”āđ€āļœāļĒāļˆāļēāļāļ—āļēāļ‡āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—

āļ‚āđ‰āļ­āļĄāļđāļĨ Navitas Semiconductor Corp

Navitas Semiconductor Corporation is a power-semiconductor company. The Company is engaged in designing, developing and marketing power semiconductors, including gallium nitride (GaN) power integrated circuits (ICs), silicon carbide (SiC) power devices, associated silicon system controllers and digital isolators used in power conversion and charging. Power supplies incorporating its products are used in a variety of electronics products, including fast chargers for mobile phones and laptops, consumer electronics, data centers, solar inverters and electric vehicles, among numerous other applications. Its GaNFast power ICs integrate GaN power and drive, with control, sensing, and protection to enable faster charging, higher power density and energy savings. Its GeneSiC power devices are optimized with reliable SiC solutions. It also offers a range of SiC MOSFETs and diodes, which have lower resistance at higher temperatures, 25°C cooler and have three times longer device life expectancy.
āļŠāļąāļāļĨāļąāļāļĐāļ“āđŒāļĒāđˆāļ­āļ‚āļ­āļ‡āļŦāļļāđ‰āļ™NVTS
āļšāļĢāļīāļĐāļąāļ—Navitas Semiconductor Corp
āļ‹āļĩāļ­āļĩāđ‚āļ­Allexandre (Christophe)
āđ€āļ§āđ‡āļšāđ„āļ‹āļ•āđŒhttps://navitassemi.com/

āļ„āļģāļ–āļēāļĄāļ—āļĩāđˆāļžāļšāļšāđˆāļ­āļĒ

āļĢāļēāļ„āļēāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp (NVTS) āļ„āļ·āļ­āđ€āļ—āđˆāļēāđ„āļŦāļĢāđˆ?


āļĢāļēāļ„āļēāļ›āļąāļˆāļˆāļļāļšāļąāļ™āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp (NVTS) āļ„āļ·āļ­ 10.070

āļŠāļąāļāļĨāļąāļāļĐāļ“āđŒāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­āļ­āļ°āđ„āļĢ?


āļŠāļąāļāļĨāļąāļāļĐāļ“āđŒāļĒāđˆāļ­āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­ NVTS

āļˆāļļāļ”āļŠāļđāļ‡āļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļĢāļ­āļš 52 āļŠāļąāļ›āļ”āļēāļŦāđŒāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­āđ€āļ—āđˆāļēāđ„āļŦāļĢāđˆ?


āļĢāļēāļ„āļēāļŠāļđāļ‡āļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļĢāļ­āļš 52 āļŠāļąāļ›āļ”āļēāļŦāđŒāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­ 17.790

āļˆāļļāļ”āļ•āđˆāļģāļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļĢāļ­āļš 52 āļŠāļąāļ›āļ”āļēāļŦāđŒāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­āđ€āļ—āđˆāļēāđ„āļŦāļĢāđˆ?


āļĢāļēāļ„āļēāļ•āđˆāļģāļŠāļļāļ”āđƒāļ™āļĢāļ­āļš 52 āļŠāļąāļ›āļ”āļēāļŦāđŒāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­ 1.520

āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļ•āļēāļĄāļ•āļĨāļēāļ”āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­āđ€āļ—āđˆāļēāđ„āļŦāļĢāđˆ?


āļĄāļđāļĨāļ„āđˆāļēāļ•āļēāļĄāļ•āļĨāļēāļ”āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­ 2.16B

āļāļģāđ„āļĢāļŠāļļāļ—āļ˜āļīāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­āđ€āļ—āđˆāļēāđ„āļŦāļĢāđˆ?


āļāđāļēāđ„āļĢāļŠāļļāļ—āļ˜āļīāļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp āļ„āļ·āļ­ -84.60M

Navitas Semiconductor Corp (NVTS) āđƒāļ™āļ‚āļ“āļ°āļ™āļĩāđ‰āđ„āļ”āđ‰āļĢāļąāļšāļ„āļģāđāļ™āļ°āļ™āļģāđƒāļŦāđ‰ āļ‹āļ·āđ‰āļ­ āļ–āļ·āļ­ āļŦāļĢāļ·āļ­ āļ‚āļēāļĒ?


āļ•āļēāļĄāļāļēāļĢāļ›āļĢāļ°āđ€āļĄāļīāļ™āļ‚āļ­āļ‡āļ™āļąāļāļ§āļīāđ€āļ„āļĢāļēāļ°āļŦāđŒ Navitas Semiconductor Corp (NVTS) āļĄāļĩāļ„āļ°āđāļ™āļ™āđ‚āļ”āļĒāļĢāļ§āļĄāļ­āļĒāļđāđˆāļ—āļĩāđˆ āļ–āļ·āļ­āļ„āļĢāļ­āļ‡ āđ‚āļ”āļĒāļĄāļĩāļĢāļēāļ„āļēāđ€āļ›āđ‰āļēāļŦāļĄāļēāļĒāļ—āļĩāđˆ 8.275

āļāđāļēāđ„āļĢāļ•āđˆāļ­āļŦāļļāđ‰āļ™ (EPS TTM) āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp (NVTS) āļ„āļ·āļ­āđ€āļ—āđˆāļēāđ„āļŦāļĢāđˆ?


āļāđāļēāđ„āļĢāļ•āđˆāļ­āļŦāļļāđ‰āļ™ (EPS TTM) āļ‚āļ­āļ‡ Navitas Semiconductor Corp (NVTS) āļ„āļ·āļ­ -0.644
KeyAI
î™