サムスン、SKハイニックス、マイクロンはメモリ価格競争に直面? 中国のDRAMおよびNANDの拡大はグローバルHBM市場に影響を与えるか?
中国の半導体メーカー、特にCXMTやYMTCがDRAMやNANDチップの供給を拡大し、Corsair、HP、Qualcommなどが採用を開始した。これにより、コンシューマー向けメモリ市場において中国メーカーのシェアが急速に拡大する可能性がある。しかし、最先端のHBM(高帯域幅メモリ)市場においては、中国メーカーは技術的な障壁とASMLからのEUV露光装置の輸出制限により、サムスン、SKハイニックス、マイクロンといった大手企業の優位性を崩すことは困難である。中国製品の価格競争力が、大手3社の市場シェアに与える影響は限定的と見られる。

TradingKey - 金融ブログのZeroHedgeの記事は、中国の半導体メーカーが国産のDRAMやNANDチップを市場に大量供給し始めており、メモリーやストレージ製品の価格を押し下げる可能性があると指摘している。チップ市場は壊滅的な局面に直面しているのか。中国によるチップ価格戦争の打撃は、サムスン電子、SKハイニックス、マイクロンを直撃し、 (MU)――これら半導体大手3社にとっての「ブラック・スワン」の瞬間となるのだろうか。
中国のメモリーメーカー、生産能力を増強 国産製品が世界市場へ進出
テクノロジー系メディア「Tom's Hardware」の報道によると、著名メモリブランドCorsairの「Vengeance DDR5 16GB」メモリ・モジュールに、マイクロン、サムスン電子、SKハイニックスの「メモリ大手3社」ではなく、中国企業の長鑫存儲技術(CXMT)製のDRAMが採用されていることを消費者が発見した。中国製DRAMがついに主流製品に登場したことになる。
これは、メモリ部門の供給動態における大きな変化を示している。これまでCXMTの製品は主に中国国内企業に販売されていた。しかし、今回の提携先であるCorsairは、コンシューマー向けメモリ分野のリーダー的存在である。両社の協力関係は、中国製DRAMが国際市場に流入し始める可能性を示唆しており、市場環境の大きな変革につながる可能性がある。
Tom's Hardwareの分析は、CXMTのようなチップメーカーは大手3社とは異なり、データセンター向けの供給契約に縛られず、十分な生産能力を備えていると指摘する。最先端の技術やツールは欠いているものの、市場における一般消費者の需要を満たすことは十分に可能だ。
以前、Corsairは通常マイクロンからメモリを調達していた。しかし、現在メモリ価格が高騰し、大手3社の生産能力が完売して予約が困難な状況にある中、Corsairのような企業は、安定供給の確保とコスト削減のために、より安価な中国のチップメーカーに目を向ける可能性がある。
中国のチップメーカーからメモリチップを調達することは、もはや国際市場における特異な事例ではない。HP(HPQ)は1月にCXMTに対してLPDDR5を大量発注した。Qualcomm(QCOM)は4月に同社とカスタムDRAMに関する提携を開始した。Dell(DELL)、ASUS、AcerもCXMTにアプローチしている。
今年初め以来、中国の複数のメモリメーカーが生産能力を増強しており、現在は国内需要を満たすだけでなく、海外のPCメーカーに対しても、同等の仕様でより手頃な代替品を提供している。例えば、長江存儲科技(YMTC)はメモリ生産の歴史的な拡大を進めており、同社の第1四半期決算では、NANDチップの生産量が世界市場シェアの10%以上を獲得したことが示されている。
中国のメモリー半導体メーカーが価格戦を開始:世界市場シェアの奪取は成るか?
従来のメモリー「ビッグ3」が需要に追いつけなくなる中、中国のチップメーカーはかつてない市場機会を得ている。しかし、これはサムスン、SKハイニックス、マイクロンの市場シェアに真の影響を与えるのだろうか。
技術的な観点から見ると、CXMTの目論見書では、1a(16nm級)プロセスノードにおけるDDR5およびLPDDR5Xの歩留まりが80%以上に達していることが明らかになった。1aプロセスは比較的先進的ではあるが、メモリー「ビッグ3」の最先端技術は、業界で主に1c、またはマイクロンによる1γとして知られる第6世代10nm級プロセスにすでに進化している。1bノードは依然として1aノードとこれら先端プロセスの中間に位置している。
現在、AIデータセンターに必要なHBM(高帯域幅メモリー)、具体的には第3世代のHBM3は、1aプロセスのチップを利用できる。例えば、SKハイニックスはHBM3E世代において、1aからより高度な1bプロセスへと部分的に切り替えたに過ぎない。サムスンが以前、NvidiaやAMDなどの主要顧客に大量供給していたHBM3およびHBM3Eチップも、1aプロセスを使用して製造されていた。
現在、HBM3Eは依然としてHBMの総出荷量の中で最大のシェアを占めているが、より高度なHBM4の生産能力が拡大しており、これはNvidiaの (NVDA) 次世代Vera Rubinプラットフォームおよび AMD のMI450プラットフォームの標準メモリーチップとなり、将来の主流になる見通しだ。現在、中国製のメモリーチップはHBM4製造の基準を満たしておらず、中国メーカーがいかにコストを削減しようとも、世界のメモリー大手が維持する技術的な障壁を打ち破ることは依然として困難である。
しかし、コンシューマー向けメモリー分野では、主要メモリーメーカーが生産能力をハイエンドのHBMラインに集中させているため、中国メーカーが市場シェアを急速に拡大する勢いを見せている。例えば、CXMTは1aプロセスの高い歩留まりを背景に、この主流の汎用コンシューマー向けメモリー市場を獲得できる有利な立場にある。
もっとも、一部の分析によれば、真の市場への影響は、これら中国メーカーが製造するDDR5メモリーの価格が大幅に下落した時にのみ発生するという。彼らのメモリー製品が国際的なコンシューマーブランドのホワイトラベル部品として使用される場合、ブランド側の調達コストは、サムスンやSKハイニックスといった大手から購入していた従来よりも大幅に低下するが、店頭での小売価格は据え置かれる可能性が高い。その結果、これら中国メーカーのコスト削減によって生み出される利益は、主にブランドオーナーが享受することになる。価格が劇的に下落し、国内のホワイトラベル製品が国際ブランドの半値で販売されても利益を維持できるようになった時、初めて中国メーカーは価格に敏感な消費者をターゲットにすることで、メモリー市場の価格設定に影響を与えることができるようになる。
それでも、中国メーカーが最先端のメモリー市場に参入できない限り、世界のメモリー大手の技術的な堀を崩すことは困難だろう。これに加え、露光装置大手の ASML が政策制限によりEUV(極端紫外線)露光装置を中国に輸出できないことも要因となり、中国メーカーは当面の間、世界クラスのメモリー大手の優位性を揺るがすことはできないだろう。
このコンテンツはAIを使用して翻訳され、明確さを確認しました。情報提供のみを目的としています。












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