閃迪披露3D堆疊專利揭示閃存算力一體化趨勢；科創半導體ETF華夏（588170）下跌0.22%，半導體設備ETF華夏（562590）下跌0.45%

截至2026年6月23日11:22，科創半導體ETF華夏(588170)下跌0.22%，半導體設備ETF華夏(562590)下跌0.45%。熱門個股方面漲跌互現，華興源創領漲4.31%，歐萊新材上漲3.91%，中科飛測上漲2.62%；中巨芯領跌9.22%，華海誠科下跌7.63%，興福電子下跌7.56%。

消息面上，閃迪披露的一項專利顯示，其正探索一個新的3D堆疊方案，將NAND閃存集成到芯片內部，以緩解當前HBM供應緊張、容量受限及延遲等問題。其核心思路是，基於CBA技術，直接在主計算芯片下方集成NAND存儲單元，該計算芯片可以是GPU或AI處理器，同時在同一中介層上繼續配置HBM堆棧，讓HBM與NAND二者分工協作——HBM負責需要即時響應的數據處理，NAND則承擔讀寫操作，以及大模型、海量數據集存儲任務。該方案目前僅停留在專利階段。

相關ETF：科創半導體ETF華夏(588170)及其聯接基金(A類：024417；C類：024418)：跟蹤指數是科創板唯一的半導體設備主題指數，其中存儲芯片含量超70%，先進封裝含量在全市場中最高(約60%)，聚焦於科技創新前沿的硬核設備公司。

半導體設備ETF華夏(562590)及其聯接基金(A類：020356；C類：020357)：跟蹤中證半導體材料設備主題指數，其中半導體設備的含量在全市場指數中最高(約66%)，直接受益於全球芯片漲價潮對“賣鏟人”(設備商)的確定性需求。