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Everspin Technologies Inc

MRAM
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8.720USD
-1.810-17.19%
Cierre 11/06, 16:00ETCotizaciones retrasadas 15 min
198.44MCap. mercado
120.34P/E TTM

Everspin Technologies Inc

8.720
-1.810-17.19%
Intraday
1m
30m
1h
D
W
M
D

Hoy

-17.19%

5 Días

-16.31%

1 Mes

-21.23%

6 Meses

+53.25%

Año hasta la fecha

+36.46%

Un año

+40.42%

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Perspectivas clave

Los fundamentos de la empresa son relativamente muy saludable. Su valoración está considerada valorada de forma justa,y su reconocimiento institucional es muy alto. En los últimos 30 días, múltiples analistas han calificado a la empresa como Compra. Pese a que su rendimiento bursátil es muy débil, La empresa muestra unos fundamentos y unos datos técnicos sólidos. Las acciones se mantienen sin una tendencia clara entre los niveles de soporte y resistencia, así que son adecuadas para el swing trading en un mercado lateral.

Puntuación de Everspin Technologies Inc

Información Relacionada

Ranking de la industria
58 / 103
Clasificación general
222 / 4615
Industria
Semiconductores y equipamiento para semiconductores

Resistencia y Soporte

Sin datos

Gráfico de radar

Precio actual
Anterior

Objetivo de los analistas

Basado en un total de 2 analistas
Compra
Calificación actual
8.500
Precio objetivo
-19.28%
Espacio en ascenso
Descargo de responsabilidad: Las calificaciones de los analistas y los precios objetivo son proporcionados por LSEG con fines informativos únicamente y no constituyen asesoramiento de inversión.

Aspectos destacados de Everspin Technologies Inc

Puntos fuertesRiesgo
Everspin Technologies, Inc. is engaged in providing magneto resistive random-access memory (MRAM) solutions. The Company's MRAM solutions offer non-volatile memory with the speed and endurance of random-access memory (RAM) and enable the protection of mission-critical data, particularly in the event of a power interruption or failure. Its portfolio of MRAM technologies includes Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM products include industry standard interfaces, including Parallel, Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad SPI (QSPI) interfaces. Its STT-MRAM technology delivers products in dynamic random-access memory (DRAM), SRAM and NOR Flash applications. It offers its products with DDR3 and DDR4 derivative interfaces, facilitating the replacement of battery-backed DRAM with STT-MRAM. Its 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) sensors provide high magnetic sensitivity in a single component that performs 3D magnetic field measurements in a monolithic solution.
Creciendo
La empresa se encuentra en una fase de crecimiento. Sus ingresos anuales más recientes ascienden a 50.40M USD.
Valorada de forma justa
El PB más reciente de la empresa es 3.01, en un rango percentil medio de 3 años.
Venta institucional
Las tenencias institucionales más recientes son 14.00M acciones, lo que supone una reducción del 19.57% con respecto al trimestre anterior.
En posesión de James Simons
El inversor estrella James Simons posee 243.27K acciones de este valor.
Menor actividad del mercado
La empresa está generando menos interés entre los inversores, con una relación de rotación de 20 días del %!.(string=-0.42)

Everspin Technologies Inc Noticias

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Indicadores financieros

BPA

Sin datos

Ingresos totales

Sin datos

Información de Everspin Technologies Inc

Everspin Technologies, Inc. is engaged in providing magneto resistive random-access memory (MRAM) solutions. The Company's MRAM solutions offer non-volatile memory with the speed and endurance of random-access memory (RAM) and enable the protection of mission-critical data, particularly in the event of a power interruption or failure. Its portfolio of MRAM technologies includes Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM products include industry standard interfaces, including Parallel, Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad SPI (QSPI) interfaces. Its STT-MRAM technology delivers products in dynamic random-access memory (DRAM), SRAM and NOR Flash applications. It offers its products with DDR3 and DDR4 derivative interfaces, facilitating the replacement of battery-backed DRAM with STT-MRAM. Its 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) sensors provide high magnetic sensitivity in a single component that performs 3D magnetic field measurements in a monolithic solution.
Símbolo de cotizaciónMRAM
CompañíaEverspin Technologies Inc
Director ejecutivoDr. Sanjeev Aggarwal, Ph.D.
Sitio Webhttps://www.everspin.com/
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