美光512GB DDR5 RDIMM進入AMD、Intel驗證，能否成為繼HBM之後的新成長點？
AI 播客
美東時間9月15日，美光科技成功展示512GB DDR5 RDIMM，傳輸速率達9200 MT/s，正接受AMD與英特爾平台驗證，計劃於2027年下半年量產。該產品採用垂直互連封裝，可顯著提升伺服器記憶體容量並降低功耗，定位為HBM的補充而非替代。短期內該產品難以顯著貢獻營收，但中期有望成為資料中心市場的核心成長點，現階段美光業績仍主要取決於HBM出貨與DRAM價格。
TradingKey - 美東時間 9 月 15 日，美光科技 (MU) 宣布已在多款伺服器平台上成功展示 512GB DDR5 RDIMM。該產品最高傳輸速率達 9200 MT/s，AMD (AMD) 和英特爾 (INTC) 正在進行平台驗證，美光計劃根據客戶需求於 2027 年下半年量產。
512GB DDR5 RDIMM 短期內難以複製 HBM 的營收貢獻，但有望提高美光高容量伺服器 DRAM 的銷售規模。
9 月 15 日，美光股價早盤一度上漲約 1.1%，收盤上漲 0.39%，報 927.6 美元。同期，標普 500 指數下跌 0.45%，那斯達克綜合指數下跌約 0.8%。截至發稿，9 月 16 日美光盤前上漲 0.72%。
【來源：TradingView】
512GB DDR5 RDIMM的優勢是什麼？
美光 512GB DDR5 RDIMM 採用垂直互連封裝，透過矽貫通孔連接多層 DRAM 晶粒，在不增加插槽數量的情況下擴大伺服器記憶體容量。配置 24 個插槽的雙路伺服器，最高可搭載 12TB DDR5 記憶體。
更大的主記憶體可讓更多模型資料與資料庫內容駐留在記憶體中，減少對速度較慢的儲存設備的存取，主要面向大型語言模型、即時推論與記憶體資料庫等工作負載。
一條 512GB RDIMM 的運作功耗約為 16 瓦，較四條 128GB RDIMM 合計約 44.2 瓦降低超過 60%。在美光進行的 Spark 支援向量機資料分析測試中，該產品效能最高達到 256GB DDR5 配置的 1.4 倍。
AMD與Intel平台驗證何時轉化為訂單？
AMD 與英特爾正在下一代伺服器平台上驗證美光 512GB DDR5 RDIMM，測試其相容性、穩定性與效能。美光尚未公布產品定價、首批客戶及預計出貨規模。
產品計劃於 2027 年下半年量產，驗證結果、伺服器廠商採用情況及美光的供貨能力，將決定量產後的訂單規模。由於商業出貨尚未開始，該產品短期內不會對美光營收產生明顯貢獻。
512GB DDR5 RDIMM會取代HBM嗎？
512GB DDR5 RDIMM 的定位是 HBM 的補充，而非替代。HBM 服務於 AI 加速器的高頻寬需求，RDIMM 則面向 CPU 側的系統記憶體擴充。
這款產品的直接價值在於：單台雙路伺服器可在 24 個插槽內實現 12TB 記憶體容量，在提供相同容量的前提下，單條 512GB 模組比四條 128GB 模組並行運作的功耗降低了 60% 以上。
目標場景是記憶體資料庫、大規模推理和模擬計算，這類應用對容量需求高，對頻寬要求低於 HBM。在 AI 伺服器中，HBM 決定加速器的資料處理速度，DDR5 RDIMM 容量則決定系統可同時調用的資料規模。
從產品佈局看，512GB DDR5 RDIMM 有望增加美光在高容量伺服器 DRAM 市場的營收。但該產品目前仍處於驗證階段，量產時間定在 2027 年下半年，短期難以對美光營收形成顯著拉動，其商業價值仍需透過平台驗證和量產訂單確認。
中期來看，如果這款產品能夠順利實現規模化出貨，有望成為美光在資料中心市場除了 HBM 以外的另一個核心成長點。現階段，HBM 出貨和 DRAM 價格仍是影響美光業績的主要因素。
本內容經由 AI 翻譯並經人工審閱，僅供參考與一般資訊用途，不構成投資建議。
