英特爾晶圓代工與艾司摩爾深化合作，推動High-NA EUV用於更大尺寸AI晶片

TradingKey - 英特爾（INTC）晶圓代工業務正與艾司摩爾（ASML）進一步深化 High-NA EUV 合作。艾司摩爾最新表示，將與包括英特爾、輝達（NVDA）、台積電（TSM）和三星電子在內的主要晶片企業合作，開發更大尺寸光罩，以推動下一代 High-NA EUV 設備用於大型 AI 與資料中心晶片製造。

目前艾司摩爾廣泛使用的 EUV 曝光設備可以製造面積約 800 平方公釐的大型晶片，輝達等公司的高階資料中心處理器已經接近這一尺寸上限。但新一代 High-NA EUV 雖然能夠實現更精細的晶片製造，現階段卻受到較小光罩尺寸限制，難以直接生產與當前大型 AI 晶片相同面積的產品。

為解決這一問題，艾司摩爾計劃推動更大尺寸光罩技術，使 High-NA EUV 未來也能製造大型資料中心晶片。艾司摩爾技術長 Marco Pieters 表示，如果產業能夠順利完成這一技術升級，High-NA EUV 系統的生產效率還有望提高約 40%。公司計劃在 2031 年展示相關試驗生產線，並於 2033 年前使該技術達到大規模量產條件。

英特爾是 High-NA EUV 應用進展最快的晶片製造商之一，也是艾司摩爾的重要合作夥伴。2024 年，英特爾率先在美國俄勒岡州安裝全球首套商用 High-NA EUV 設備；今年 7 月，英特爾晶圓代工進一步使用該技術生產部分基於 Intel 18A 製程的 Panther Lake 處理器，並已實現相關產品出貨。

目前，英特爾使用 High-NA EUV 處理的 300 公厘晶圓累計已經超過 100 萬片，其中包括設備驗證、研發以及實際生產所使用的晶圓。公司現階段仍將採用標準尺寸光罩，並透過拼接方式製造更大晶片，同時參與下一代大型光罩方案開發。

艾司摩爾表示，如果大型光罩技術順利落地，除了擴大 High-NA EUV 可製造的晶片尺寸之外，還有望使設備生產效率提高約 40%。公司計劃在 2031 年前後建立相關試驗生產線，並力爭到 2033 年達到量產準備狀態。