英特尔晶圆代工与阿斯麦深化合作，推动High-NA EUV用于更大尺寸AI芯片

TradingKey - 英特尔（INTC）晶圆代工业务正与阿斯麦（ASML）进一步深化High-NA EUV合作。阿斯麦最新表示，将与包括英特尔、英伟达（NVDA）、台积电（TSM）和三星电子在内的主要芯片企业合作，开发更大尺寸光掩模，以推动下一代High-NA EUV设备用于大型AI和数据中心芯片制造。

目前阿斯麦广泛使用的EUV光刻设备可以制造面积约800平方毫米的大型芯片，英伟达等公司的高端数据中心处理器已经接近这一尺寸上限。但新一代High-NA EUV虽然能够实现更精细的芯片制造，现阶段却受到较小光掩模尺寸限制，难以直接生产与当前大型AI芯片相同面积的产品。

为解决这一问题，阿斯麦计划推动更大尺寸光掩模技术，使High-NA EUV未来也能制造大型数据中心芯片。阿斯麦首席技术官Marco Pieters表示，如果行业能够顺利完成这一技术升级，High-NA EUV系统的生产效率还有望提高约40%。公司计划在2031年展示相关试验生产线，并于2033年前使该技术达到大规模量产条件。

英特尔是High-NA EUV应用进展最快的芯片制造商之一，也是阿斯麦的重要合作伙伴。2024年，英特尔率先在美国俄勒冈州安装全球首套商用High-NA EUV设备；今年7月，英特尔晶圆代工进一步使用该技术生产部分基于Intel 18A工艺的Panther Lake处理器，并已实现相关产品出货。

目前，英特尔使用High-NA EUV处理的300毫米晶圆累计已经超过100万片，其中包括设备验证、研发以及实际生产所使用的晶圆。公司现阶段仍将采用标准尺寸光掩模，并通过拼接方式制造更大芯片，同时参与下一代大型光掩模方案开发。

阿斯麦表示，如果大型光掩模技术顺利落地，除了扩大High-NA EUV可制造的芯片尺寸之外，还有望使设备生产效率提高约40%。公司计划在2031年前后建立相关试验生产线，并力争到2033年达到量产准备状态。