SK海力士股價預測:記憶體半導體庫存已降至不足10天的供應量,股價有望突破185美元
韓國券商 KB Securities 報告指出,受人工智慧基建擴張及 HBM4 產能消耗影響,三星電子與 SK 海力士記憶體庫存已降至不足 10 天,明年供需缺口將超 10 個百分點。儘管近期股價大幅回檔,但基本面強勁且估值遭嚴重低估。技術面上,SK 海力士 ADR 逼近階段高點 178.41 美元,若突破有望上看 185.73 美元,短線需留意 172.65 美元支撐與前高假突破風險。

TradingKey - 韓國券商 KB Securities 在最新的研究報告中指出,三星電子和 SK 海力士(SKHY)的記憶體半導體庫存已降至不足 10 天的供應量,明年可用供應將明顯不足。
該機構續指,隨著人工智慧基礎設施投資以前所未有的速度擴張,記憶體晶片市場正面臨嚴重的供應短缺。加劇供應短缺的一個關鍵因素是向下一代高頻寬記憶體 HBM4 的過渡。
該機構認為,HBM4 所需的晶圓大約是傳統 DRAM 的三倍。由於晶圓產能有限,HBM4 全面量產勢必會減少傳統 DRAM 的可用產能。KB Securities 預計,明年 DRAM 和 NAND 需求將因此超過供應 10 個百分點以上。
KB Securities 表示,儘管記憶體市場供不應求,但三星電子和 SK 海力士兩家公司的股價在過去一段時間內大幅回檔,三星電子較高點跌去近 28%,SK 海力士跌去近 40%。兩家公司的股價下跌與記憶體股票的廣泛回檔以及韓國股市槓桿率過高有關。
雖然股價下跌反映了市場的擔憂,但分析師表示,相對於其基本面而言,這兩家公司的股票被嚴重低估,預計其獲利將連續三年創下歷史新高。鑑於市場預期大規模股東回報政策將持續,當前時期可能標誌著半導體產業估值大幅提升的開始。

SK 海力士 ADR 股價圖,來源:TradingView
從 SK 海力士 ADR 股價圖來看,股價自 151.50 美元附近反彈後,逐步收復 0.236、0.382、0.5、0.618 和 0.786 費波那契回檔位,目前已經接近階段高點 178.41 美元。結合今日 SK 海力士在韓股上漲 8.26% 的表現,ADR 有望明日突破該價位。
均線方面,現價距離 5 日均線仍有一定空間,說明趨勢偏強,但也意味著短線若出現獲利回吐,首先會考驗 172.65—172.78 美元區域。
當前最關鍵的確認位是明日需要突破階段高點 178.41 美元,且回測不破,上方可進一步關注 1.272 費波那契擴展位(185.73 美元),強勢延續時再看 1.618 費波那契擴展位(195.04 美元)。
若在 178.41 美元附近反覆受阻,需警惕前高附近的假突破。價格可能先回測 0.786 費波那契回檔位(172.65 美元)及 5 日均線(172.78 美元)附近。
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