SK 海力士與晟碟首發 HBF 儲存新標準,Google 入局共建生態
美東時間8月3日,SK海力士與晟碟於加州快閃記憶體峰會發布高頻寬快閃記憶體(HBF)標準。此標準由OCP發布,結合NAND與3D堆疊技術,旨在填補HBM高成本與SSD低頻寬間的存儲層級空白,解決AI推論對大容量與高速度的雙重需求。該規範支援最高512GB容量及3.0TB/s頻寬,並採UCIe介面適配多種處理器。Google與Tenstorrent的加入提升了生態落地可能,SK海力士同步展出第十代375層4D NAND,預計明年量產。該標準化進程標誌著AI存儲架構正式進入規模化發展階段,後續市場普及率取決於終端客戶的導入規模。

TradingKey - 美東時間 8 月 3 日,美國加州快閃記憶體峰會 2026 開幕首日,SK 海力士(SKHY)與晟碟(SNDK)聯合發表了高頻寬快閃記憶體(High Bandwidth Flash,簡稱 HBF)的首個標準規範。
兩家公司自去年 8 月達成合作意向,並於今年 2 月在 OCP 架構下正式組建 HBF 聯盟。從聯盟正式運作到標準規範落地,僅僅用了半年時間。
HBF 聯盟成員名單中,除了 SK 海力士和晟碟,還有 Google(GOOGL)與 AI 晶片新創公司 Tenstorrent。Google 的加入意味著 HBF 從一開始就瞄準了超大規模資料中心的真實需求,而非停留在實驗室概念階段。
HBF 的定位既非 HBM 的替代品,也非 SSD 的升級版,而是在兩者之間開闢一個新的儲存層級。
AI 產業正從模型訓練轉向推論應用,一個矛盾愈發尖銳:HBM 頻寬雖高,但容量有限且成本昂貴,難以承載大模型的參數規模;SSD 容量充裕,讀寫速度卻存在硬體瓶頸,無法匹配 AI 推論對即時性的要求。
HBF 將 NAND 快閃記憶體與 HBM 製程中成熟的 3D 堆疊技術相結合,旨在同時提供高頻寬與大容量,為 AI 推論伺服器增加一個專門的儲存選項。
標準規範定義了兩種容量配置,分別基於 8 層和 16 層 NAND 晶片堆疊,最高支援 512GB。頻寬分為三個等級(Grade 1~3),覆蓋約 0.4TB/s 至 3.0TB/s。
HBF 採用業界標準 UCIe 互連介面,可靈活適配 GPU、CPU 等不同架構的處理器。該規範由全球最大的開放式資料中心技術合作組織 OCP 發布,作為業界通用開放標準,而非企業私有方案。
此外,峰會期間,SK 海力士首次公開展示了第十代(V10)375 層 4D NAND 快閃記憶體晶圓及產品,能效較前代提升 2.5 倍,預計明年初量產。公司同時表示,將以此為契機推動 HBF 在 AI 儲存市場的規模化落地。
對儲存晶片產業而言,Google 的加入為 HBF 生態系建設注入了關鍵推力。HBF 能否真正填補記憶體層級的空缺,取決於終端客戶的導入速度與規模。但標準規範的落定,至少讓這個目標有了一個明確的起點。
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