韓國KOSPI收漲0.73%,三星電子漲逾4%,SK海力士小幅走高
8月11日,韓國綜合股價指數(KOSPI)收漲0.73%,報6,345.53點。晶片權值股表現分化,三星電子漲4.13%,SK海力士漲0.35%。基本面上,SK海力士正加速推進極紫外光微影(EUV)技術升級及新型材料導入,以提升下一代DRAM量產效能。同時,南韓政府計劃推動超級特區法案,結合政策支持與先進製程研發,持續鞏固其全球半導體產業鏈競爭優勢。

TradingKey - 8 月 11 日,韓國股市延續反彈走勢,韓國綜合股價指數 (KOSPI) 收漲 0.73%,報 6,345.53 點。日本股市則因「山之日」國定假日休市,日股市場當天暫停交易。

來源:TradingView
三星電子成為盤面亮點,收在 239,500 韓元(約 169 美元),上漲 4.13%;SK 海力士報 1,425,000 韓元,上漲 0.35%。
消息面上,SK 海力士正在加快下一代 DRAM 生產技術的研發。據韓媒報導,公司正推進極紫外光微影 (EUV) 技術升級,並已開始導入相移光罩 (PSM) 等新型材料,以進一步改善 EUV 製程效能。
SK 海力士去年已率先引入高數值孔徑 (High-NA) EUV 設備,並於今年擴大相關研發工作,為下一代 DRAM 量產做準備。
與此同時,韓國政府也在推進半導體產業聚落建設。韓國總統府青瓦台表示,計劃在未來一年內推動「三大超級項目」相關「超級特區法案」落地,其中光州軍事機場遷建項目預計於 2028 年完成,並被納入當地半導體產業聚落規劃。
隨著政策支持與先進製程研發同步推進,韓國正進一步強化其在全球半導體產業鏈中的競爭優勢。
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