AI記憶體晶片需求激增，SK海力士與三星競相大幅擴充產能
AI 播客
SK 海力士與三星電子為應對 AI 驅動的高效能儲存晶片需求，紛紛啟動大規模擴產計畫。SK 海力士目標至 2034 年將晶圓總產能翻倍，其中 DRAM 月產能預計在 2030 至 2031 年間達 100 萬片，並規劃在日本與輝達合作建置 AI 數據中心。三星電子則考慮 35 年來首度新建封裝廠，並擴充天安基地 HBM 後段產能，同時向越南投資建設半導體測試設施。兩大韓廠的資本擴張與產能規劃，旨在鞏固其在 AI 時代半導體先進封裝與高性能記憶體領域的戰略地位。
Tradingkey - 隨著 AI 技術加速落地，全球高效能儲存晶片需求持續攀升。韓國兩大半導體巨頭 SK 海力士與三星電子近期相繼公布重大擴產計劃，全面佈局 AI 晶片供應鏈。
SK 海力士：2034 年晶圓產能將提高兩倍
SK集團董事長崔泰源近日向《日經亞洲》透露，SK海力士計劃到2034年將其晶圓總產能提升兩倍，以滿足人工智慧驅動下不斷增長的記憶體晶片需求，他預計晶圓產能將在五年內翻一番。
SK海力士已與主要供應商分享了其擴產計劃，核心目標是到2030年前後將DRAM晶圓月產能從目前約55萬片提升至約100萬片，其中來自中國無錫工廠約佔20萬片。
新增產能的大部分將來自龍仁半導體產業集群。SK海力士已將龍仁晶圓廠建設計劃大幅提前，首階段預計於明年初完工。龍仁一期工廠劃分為六個無塵室，每個無塵室啟用後將逐步增加6萬片月產能，到2030年上半年僅首廠即可新增36萬片DRAM月產能。
與此同時，SK海力士位於清州的M15X晶圓廠計劃於今年下半年開始營運，初始月產能為4萬片，預計2027年提升至約8萬片。結合龍仁一期與M15X的擴建貢獻，SK海力士的DRAM晶圓月產能有望在2030至2031年間達到約100萬片。
完成本土擴張後，SK集團還計劃與輝達（NVDA）合作，於2028年至2029年間在日本建設一座AI數據中心。
三星電子：35年來首次新建封裝基地
三星電子正考慮在韓國光州市新建一座先進的半導體封裝工廠。這將是三星 35 年來首次打造封裝基地，也是繼平澤園區動工之後、11 年來首次啟動重大半導體生產設施。
據韓國媒體報導，三星最快可能在 6 月 29 日舉行的韓國總統與企業集團負責人會議上正式公布這一投資計畫。光州新廠落成後，三星的封裝業務佈局將從傳統的忠清道重鎮（如牙山溫陽、天安）向南延伸至湖南地區。
在技術佈局方面，三星正大力擴充天安基地的 HBM 後段處理產能，目標是在 2026 年底前，將熱壓鍵合（TCB）月產能提升至 23.1 萬顆，混合銅鍵合（HCB）月產能提升至 1.95 萬顆。此外，三星計劃於 2029 年將 HBM 堆疊製程從 TCB 全面切換為 HCB，彰顯其對下一代先進封裝技術的持續投入。
海外佈局上，三星擬向越南投資約 15 億美元建設半導體測試設施。該設施已於 2026 年 4 月動工，預計 2027 年 11 月正式投產。
分析人士指出，隨著 AI 算力需求持續爆發，先進封裝與高性能記憶體晶片已成為半導體產業競爭的戰略高地。SK 海力士與三星正憑藉龐大的資本擴張和明確的產能規劃，積極搶占 AI 時代的市場先機。
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