AXT, Inc. is a material science company that develops and manufactures high-performance compound and single element semiconductor wafer substrates comprising indium phosphide (InP), gallium arsenide (GaAs) and germanium (Ge). Its wafer substrates are used when a typical silicon wafer substrate cannot meet the performance requirements of a semiconductor or optoelectronic device. It has two product lines: specialty material substrates and raw materials integral to these substrates. Its InP is a semiconductor wafer substrate used in broadband and fiber optic applications, 5G infrastructure and data center connectivity. Its semi-conducting GaAs substrates are used to create opto-electronic products, including high brightness light emitting diodes that are often used to backlight wireless handsets and LCD televisions and for automotive, signage, and lighting applications. Its Ge substrates are used in applications, such as solar cells for space and terrestrial photovoltaic applications.
Alto crecimiento
Los ingresos de la empresa han crecido de manera constante durante los últimos tres años, con un promedio interanual del 16.53%.
Creciendo
La empresa se encuentra en una fase de crecimiento. Sus ingresos anuales más recientes ascienden a 88.33M USD.
Alto crecimiento de los beneficios
Los ingresos netos de la empresa lideran el sector. Sus ingresos anuales más recientes ascienden a 88.33M USD.
Sobrevalorada
El PB más reciente de la empresa es 14.76, en un rango percentil alto de 3 años.
Compra institucional
Las tenencias institucionales más recientes son 37.02M acciones, lo que supone un aumento del 23.10% con respecto al trimestre anterior.
En posesión de ETHSX
El inversor estrella ETHSX posee 241.35 acciones de este valor.
Menor actividad del mercado
La empresa está generando menos interés entre los inversores, con una relación de rotación de 20 días del %!.(string=2.01)