AXT, Inc. is a material science company that develops and manufactures high-performance compound and single element semiconductor wafer substrates comprising indium phosphide (InP), gallium arsenide (GaAs) and germanium (Ge). Its wafer substrates are used when a typical silicon wafer substrate cannot meet the performance requirements of a semiconductor or optoelectronic device. It has two product lines: specialty material substrates and raw materials integral to these substrates. Its InP is a semiconductor wafer substrate used in broadband and fiber optic applications, 5G infrastructure and data center connectivity. Its semi-conducting GaAs substrates are used to create opto-electronic products, including high brightness light emitting diodes that are often used to backlight wireless handsets and LCD televisions and for automotive, signage, and lighting applications. Its Ge substrates are used in applications, such as solar cells for space and terrestrial photovoltaic applications.
Hoher Wachstum
Der Umsatz des Unternehmens ist in den letzten 3 Jahren stetig gewachsen und beträgt im Durchschnitt 16.53% im Jahr.
Wachstum
Das Unternehmen befindet sich in einer Wachstumsphase, wobei das aktuelle Jahreseinkommen insgesamt 88.33M USD beträgt.
Hohe Gewinnwachstumsrate
Das Nettoeinkommen des Unternehmens führt die Branche an, das letzte Jahres Einkommen betrug insgesamt 88.33M USD.
Überbewertet
Der aktuelle PB1 des Unternehmens liegt bei 14.762, im 3-Jahres-Hoch Prozentbereich.
Institutionelle Käufe
Die neuesten institutionellen Bestände sind 37.02M Aktien, was eine Steigerung von 23.10% im Vergleich zum Vorquartal darstellt.
Gehalten von ETHSX
Star-Investor ETHSX1 hält 241.352 Aktien dieses Unternehmens.
Niedrigere Marktaktivität
Das Unternehmen hat weniger Investoreninteresse, mit einem 20-Tage-Umsatzverhältnis von 2.01.