SK海力士宣布384億美元投資計畫,加速AI晶片業務擴張
8月7日,SK海力士宣布將投入54兆韓元,擴建韓國龍仁與清州基地的記憶體產能,旨在應對AI需求帶來的長期增長。其中清州M17廠與龍仁Y2廠預計分別於2031年4月及10月完成投資,龍仁園區四座晶圓廠建設進度已提前至2033年。此舉顯示公司將重心由技術領先轉向產能部署,以確保AI時代的市占地位。透過共享清州現有資源並分階段進行設備安裝,公司將在擴產與資本效率之間取得平衡,並根據市場需求靈活調整基礎建設進度。

TradingKey - 8 月 7 日,SK 海力士宣布,將在韓國龍仁和清州兩大生產基地投入總計 54 兆韓元(約 384 億美元),建設新一代記憶體晶片產能,以因應人工智慧快速發展帶來的長期需求成長。
根據公告,公司計劃在 2031 年 4 月底前向清州 M17 晶圓廠投資 19.1 兆韓元,並於 2031 年 10 月底前向龍仁半導體聚落第二座晶圓廠 Y2 投入 35.2 兆韓元。
SK 海力士表示,隨著生成式 AI、AI 推理以及 Agentic AI 等應用持續普及,高效能記憶體需求仍在快速成長。公司認為,在 AI 時代,僅依靠技術領先已不足以建立競爭優勢,更關鍵的是能否在客戶需要的時間提供充足產能,因此決定提前布局製造能力。
事實上,此次投資也是公司整體擴產計劃的重要組成部分。今年 6 月,SK 海力士曾公布覆蓋龍仁半導體聚落和清州園區的長期投資藍圖,其中龍仁計畫規劃總投資約 600 兆韓元,清州基地擴建投資約 100 兆韓元,並將龍仁產業園區四座晶圓廠全部建成的時間提前至 2033 年,較原計劃大幅提前。隨著此次 Y2 與 M17 計畫正式啟動,意味著兩大生產基地均已進入新一輪建設階段。
從建設進度來看,龍仁首座晶圓廠 Y1 目前仍按計劃推進,首座無塵室預計將於明年 2 月投入使用。承擔第二階段擴產任務的 Y2 計劃於明年 7 月開工建設,首座無塵室預計 2029 年 6 月啟用。
清州方面則擁有相對成熟的產業基礎,園區已布局 M11、M12 及 M15 等多座 NAND 生產設施,新建 M17 可直接共享現有水、電及配套資源,從而縮短建設週期並降低成本。按照規劃,M17 將於明年 2 月動工,首座無塵室預計 2028 年底投入使用,整體投資週期持續至 2031 年。
值得注意的是,此次投入不僅包括晶圓廠主體工程,還覆蓋研發中心、辦公設施、員工配套建築以及供電、供水、水處理、倉儲等基礎設施,為後續持續擴產預留空間。
SK 海力士表示,公司將根據與客戶溝通形成的中長期需求預測推進工廠建設,而無塵室擴建和設備安裝則會結合市場變化分階段實施,以兼顧產能擴張與資本效率,避免一次性投入過快。
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