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SK海力士Q2財報獲利暴增557%創歷史新高,為何股價仍大跌11%?

TradingKey2026年7月29日 02:58

AI 播客

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SK海力士2026年第二季營收與營業利益雖創歷史新高,分別達79.32兆及60.54兆韓元,但成長幅度未達市場預期,引發股價顯著回調。業績承壓主因在於DRAM與NAND產品漲幅趨緩,且長期供應合約(LTA)限制了現貨價格飆漲帶來的彈性收益。儘管淨利受惠於處分資產挹注,但核心業務動能放緩跡象引發關注。目前公司HBM4已啟動量產,並維持高額資本支出以擴充AI記憶體產能。投資人需審慎評估未來供需結構變化,以及高額擴產帶來的折舊壓力是否會對後續利潤率構成風險。

該摘要由AI生成

TradingKey - 儘管交出史上最賺錢的一個季度,SK 海力士(SKHY)依然未能滿足資本市場越來越高的期待。

7 月 29 日,SK 海力士公布 2026 年第二季業績,受 AI 伺服器需求持續成長推動,公司營收達到 79.32 兆韓元(約 546.5 億美元),年增 257%,營業利益升至 60.54 兆韓元,年大增 557%,兩項指標均刷新歷史紀錄。

不過,這份成績單仍略遜於市場預期,先前分析師平均預估公司營收約 84 兆韓元、營業利益約 64 兆韓元。

財報公布後,SK 海力士 ADR 盤後一度大跌 9%,韓國本土股雖開高約 3%,但漲幅很快收斂,盤中一度轉跌逾 11%。自 6 月創下波段高點以來,公司股價累計回檔逾 46%,市值蒸發超過 5000 億美元。

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來源:TradingView

SK海力士利潤再創新高,為何難令市場滿意?

從營運表現來看,SK 海力士仍處於這一波 AI 記憶體週期的高景氣階段。

第二季,公司營業利益率達到 76.3%,較前一季進一步提升,毛利率也升至約 83%,均處於歷史高檔。AI 伺服器對 HBM、高效能 DRAM 以及企業級 SSD 需求持續旺盛,推升產品價格維持高檔,也讓公司獲利能力遠超傳統記憶體週期。

淨利達到 93.92 兆韓元,年增幅超過 12 倍,不過這一數字包含了出售日本記憶體大廠鎧俠 (Kioxia) 部分股權帶來的一次性投資收益,因此相比營業利益,其持續性相對有限。

真正讓市場失望的,並非業績本身,而是成長速度開始出現放緩跡象。

一方面,SK 海力士產品結構中 HBM 佔比較高,而這一波利潤快速提升更多受益於傳統 DRAM 價格上漲。由於 HBM 長期訂單佔比較高,其價格調整節奏相對平穩,因此公司未能像部分同業一樣,充分享有現貨市場價格快速上漲帶來的收益。

另一方面,記憶體價格雖然繼續上漲,但漲幅已經明顯放緩。公司透露,第二季 DRAM 平均售價較前一季上漲約 30%,NAND 價格上漲約 50% 至 55%,均低於第一季約 60% 和 70% 的漲幅。這意味著這一波價格上漲正在逐步回歸正常節奏。

此外,長期供貨合約 (LTA) 也限制了利潤彈性。據公司透露,目前已與約 10 家主要客戶簽署長期供應合約,業界預計,這類長期訂單佔整體銷售規模約一半。長期合約提高了營收的可預測性,卻也意味著無法完全享受現貨價格快速上漲帶來的超額利潤。

HBM4進入放量階段

雖然短期業績略低於市場預期,但 SK 海力士對 AI 記憶體需求依然保持樂觀。

公司表示,HBM4 產品已於第二季開始量產出貨,下半年將進一步擴大供應規模。與此同時,下一代 HBM4E 也已完成向主要客戶送樣,未來將採用兼顧技術成熟度與量產穩定性的製程進入市場。

隨著輝達下一代 AI 平台逐步進入量產階段,市場普遍預計 HBM4 需求將在下半年明顯提升。作為輝達最重要的 HBM 供應商之一,SK 海力士能否持續保持領先交付能力,將直接影響其未來市佔率與獲利表現。

除了 HBM 之外,公司 NAND 業務也在同步升級。SK 海力士表示,目前 321 層 NAND 已成為公司產量最高的產品,計劃到今年年底占韓國本土產能的一半左右。同時,企業級 SSD 需求也繼續受益於 AI 資料中心建設,進一步改善了 NAND 產品結構。

相比過去主要依賴智慧型手機和 PC 汰舊換新推動需求,本波記憶體產業景氣更多來自 AI 伺服器建設。HBM、伺服器 DRAM 和企業級 SSD 同時受益於 AI 基礎建設擴張,也使這一波供需關係較以往更具結構性特徵。

現金流充裕,但資本支出仍將繼續提升

創紀錄的獲利也讓 SK 海力士的財務狀況進一步改善。截至第二季末,公司現金及現金等價物達到 88 兆韓元,較上一季增加 33.6 兆韓元;總債務則降至 18.6 兆韓元,淨現金規模擴大至 69.4 兆韓元,財務彈性明顯增強。

然而,AI 需求持續旺盛也意味著公司仍需投入更多資金擴充產能。

管理階層預估,今年資本支出將處於 40 兆韓元區間的高端,接近 50 兆韓元,高於上一年度水準。公司正在推進 M15X 工廠量產,並計劃於 2027 年初啟用龍仁半導體園區一期無塵室,同時繼續建設 P&T7 先進封裝設施、M17 NAND 生產基地等項目,為未來幾年的 HBM 及先進記憶體需求提前佈局。

對市場而言,這也意味著新的考驗正在到來。如果 AI 需求持續保持高成長,大規模擴產有望進一步鞏固產業領先地位。但若未來產業供給成長快於需求,高額資本支出和新增折舊也可能對利潤率形成壓力。

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