韩股暴跌熔断拖累美股！闪迪惨跌12%、SK海力士跌逾10%，记忆体板块遭遇非理性抛售

Tradingkey - 美东时间7月13日，记忆体股板块今日整体受挫，截至发稿，闪迪（SNDK）跌12.32%，SK海力士（SKHY）跌8.97%，西部数据（WDC）跌6.97%，希捷科技（STX）跌5.86%，美光科技（MU）跌4.99%。

需要注意的是，记忆体板块的下跌与韩国股市遭抛售有不可分割的联系——韩国KOSPI暴跌超8%触及熔断，SK海力士暴跌15%，三星跌超10%。

【来源：FutuBull】

市场分析称，本轮抛售主因是SK海力士在美股上市后的获利了结，以及遭韩国投资证券公司KIS下调盈利预期。

具体而言，KIS最新预测显示，SK海力士2026年第二季度营收将达80.9万亿韩元，环比增长54%，同比大幅增长264%；营业利润预计达60.4万亿韩元，环比增长61%，同比激增556%。

但这一业绩表现低于市场共识：营业利润较此前一致预期的65万亿韩元下调约8%。消息落地后，市场核心关注点迅速聚焦于“盈利不及预期”，这导致了今日韩股被市场抛售。

Coin Bureau创始人、跨资产分析师Nic Puckrin在一份报告中写道：“今天SK海力士在亚洲交易时段接近纪录水平的跌幅，已不再只是韩国的问题，它现在正把这种波动性注入纳斯达克。”

他表示：“事实上，这两个市场正变得比以往任何时候都更加地彼此交织，并受到彼此科技股集中度的影响。这是一个恶性循环，应当令股票投资者担忧。”

然而，深挖KIS的研究报告，可以看出预测调整并非来自HBM需求端放缓，而是产品结构与定价模式变化带来的阶段性扰动。二季度SK海力士HBM出货占比持续提升，但该类产品价格已通过长期供货协议(LTA)提前锁定，导致其平均销售单价(ASP)低于同期市场现货价格水平。

简单来说，就是当前存储市场正处于价格快速上行通道，传统DRAM、NAND现货价格大幅反弹，而SK海力士因HBM订单提前签订锁价，无法完全享受到短期价格暴涨带来的边际收益增量。

然而，这一影响仅为短期盈利节奏差异。随着第三季度HBM4正式进入大规模出货阶段，新一代高价值产品放量将优化产品结构，推动整体ASP进一步上行。KIS测算显示，第二季度DRAM与NAND闪存平均销售价格较一季度分别上涨约30%和50%，存储行业供需紧张的格局仍未发生根本改变。

该机构将2026年、2027年营业利润预期分别下调9%和11%，核心原因并非基本面恶化，而是机构开始基于长期供货协议框架重新修正盈利测算模型。和过往存储周期高度依赖现货价格的模式不同，AI时代的存储产业正在向“长约锁定+高价值产品”的新模式转型。长期合同提升了需求确定性与盈利可见度，但同时也会平滑价格暴涨周期中的盈利峰值。

需要注意的是，高盛将闪迪的目标价从1200美元上调至2200美元，并重申“买入”评级。该行预测闪迪即将公布非常强劲的季度业绩。

高盛认为，全球NAND闪存芯片的供应短缺状况将在2026年持续，移动端、PC端和数据中心端需求同步复苏，而产能受高端AI存储赛道挤压，常规产品供给不足，市场价格保持攀升趋势。闪迪管理层在6月初的瑞穗科技会议上透露，即使在新业务模式(NBM)协议的价格区间低端，"我们也喜欢这些利润率"，并且"将与第四季度指引的利润率保持一致"。