Gã khổng lồ bộ nhớ Kioxia cung cấp chip Flash 332 lớp cho các trung tâm dữ liệu AI, cổ phiếu tăng vọt hơn 10% sau những biến động dữ dội
Kioxia vừa thông báo gửi mẫu chip nhớ flash 3D BiCS thế hệ 10 tới khách hàng. Sản phẩm sở hữu cấu trúc 332 lớp, mật độ bit tăng 59% và cải thiện hiệu suất năng lượng đọc/ghi lần lượt 18% và 30%. Tốc độ giao diện NAND đạt 4,8Gb/s, tăng 33% so với thế hệ trước. Sau khi tin tức được công bố, cổ phiếu Kioxia đã phục hồi mạnh mẽ, tăng 10,07% lên 83.940 yên. Sản phẩm dự kiến sản xuất hàng loạt vào năm 2027 tại nhà máy Fab2, Kitakami nhằm củng cố vị thế của hãng trong phân khúc hạ tầng trung tâm dữ liệu AI.

TradingKey - Trong phiên giao dịch châu Á ngày 3/7, gã khổng lồ chip nhớ toàn cầu Kioxia đã thông báo chính thức bắt đầu gửi mẫu sản phẩm công nghệ bộ nhớ flash 3D BiCS FLASH thế hệ thứ 10 tới khách hàng. Sở hữu cấu trúc xếp chồng 332 lớp, chip TLC 1Tb này nhắm trực tiếp vào nhu cầu bùng nổ về lưu trữ dung lượng cao, tiêu thụ điện năng thấp tại các trung tâm dữ liệu AI, báo hiệu một giai đoạn mới trong "cuộc chiến bộ nhớ" xung quanh hạ tầng AI.
Mặc dù chỉ số Nikkei 225 chịu áp lực trong phiên giao dịch đầu giờ sáng và giá cổ phiếu của Kioxia ban đầu giảm hơn 9% do tâm lý thị trường biến động, cổ phiếu này đã nhanh chóng chuyển sang sắc xanh và tăng vọt hơn 10% khi các chi tiết kỹ thuật của sản phẩm mới được hấp thụ, tạo nên một đợt phục hồi mạnh mẽ. Tính đến thời điểm đưa tin, giá cổ phiếu của Kioxia đã tăng 10,07% lên 83.940 yên. Trước đó, nhờ hưởng lợi từ làn sóng bùng nổ AI, vốn hóa thị trường của Kioxia từng vượt qua Toyota để đứng đầu Nhật Bản.

[Nguồn: Futu]
Được biết, sản phẩm thế hệ thứ 10 đang được gửi mẫu này đại diện cho một bước nhảy vọt lớn về công nghệ. Dựa trên công nghệ "CMOS liên kết trực tiếp với mảng" (CBA) được giới thiệu ở thế hệ thứ tám, thế hệ bộ nhớ flash tiếp theo đạt tốc độ giao diện NAND là 4,8Gb/s, tăng 33% so với thế hệ trước. Trong khi đó, việc xếp chồng dọc lên tới 332 lớp kết hợp với mật độ ngang được tối ưu hóa đã giúp mật độ bit tăng ở mức kinh ngạc là 59%. Quan trọng hơn, hiệu suất năng lượng đọc và ghi của nó đã cải thiện lần lượt là 18% và 30%, giải quyết trực tiếp bài toán nan giải về tiêu thụ điện năng cao tại các trung tâm dữ liệu.
Sản phẩm mới được sản xuất tại Nhà máy Fab2 của Kioxia ở Kitakami, tỉnh Iwate, Nhật Bản, đây là cơ sở duy nhất của hãng trên toàn cầu có khả năng mở rộng quy mô sản xuất bộ nhớ flash 332 lớp.
Đối mặt với sự cạnh tranh gay gắt từ các đối thủ như Samsung và SK Hynix trong không gian bộ nhớ flash hơn 300 lớp, Kioxia đang dốc toàn lực để bảo vệ vị thế của mình trong chuỗi cung ứng trung tâm dữ liệu AI bằng cách tận dụng lợi thế của người đi đầu với BiCS 10. Theo các nguồn tin thị trường, việc sản xuất hàng loạt sản phẩm này dự kiến sẽ bắt đầu tại nhà máy Kitakami vào năm 2027.
Nội dung này được dịch bằng trí tuệ nhân tạo và đã được hiệu đính cho dễ hiểu hơn. Chỉ mang tính chất tham khảo.
Bài viết đề xuất













Bình luận (0)
Nhấn vào nút $ , nhập ký hiệu, và chọn để liên kết với một cổ phiếu, ETF, hoặc mã khác.