회사의 펀더멘털은 비교적 아주 건전한한 편입니다. 회사의 밸류에이션은 적정하게 평가된으로 간주됩니다. 기관의 인지도는 매우 높은입니다. 지난 30일 동안 여러 애널리스트들이 이 회사를 매수로 평가했습니다. 매우 부진한 시장 성과에도 불구하고, 회사는 강한 펀더멘털과 기술적 지표를 보이고 있습니다. 주가는 지지선과 저항선 사이에서 횡보하고 있으며, 범위 매매 기반의 스윙 트레이딩에 적합한 상황입니다.
Everspin Technologies Inc 점수
관련 정보
산업 순위
58 / 103
전체 순위
222 / 4615
산업
반도체 및 반도체 장비
저항선 & 지지선
데이터 없음
레이더 차트
현재 가격
과거
분석가 목표가
2
명의 분석가를 기준으로
매수
현재 등급
8.500
목표 가격
-19.28%
상승 여력
면책 조항: 애널리스트 평가 및 목표 주가는 정보 제공을 위한 목적으로 LSEG에서 제공되며, 투자 조언으로 간주되지 않습니다.
Everspin Technologies Inc 주요 내용
강점위험 요소
Everspin Technologies, Inc. is engaged in providing magneto resistive random-access memory (MRAM) solutions. The Company's MRAM solutions offer non-volatile memory with the speed and endurance of random-access memory (RAM) and enable the protection of mission-critical data, particularly in the event of a power interruption or failure. Its portfolio of MRAM technologies includes Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM products include industry standard interfaces, including Parallel, Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad SPI (QSPI) interfaces. Its STT-MRAM technology delivers products in dynamic random-access memory (DRAM), SRAM and NOR Flash applications. It offers its products with DDR3 and DDR4 derivative interfaces, facilitating the replacement of battery-backed DRAM with STT-MRAM. Its 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) sensors provide high magnetic sensitivity in a single component that performs 3D magnetic field measurements in a monolithic solution.
Everspin Technologies, Inc. is engaged in providing magneto resistive random-access memory (MRAM) solutions. The Company's MRAM solutions offer non-volatile memory with the speed and endurance of random-access memory (RAM) and enable the protection of mission-critical data, particularly in the event of a power interruption or failure. Its portfolio of MRAM technologies includes Toggle MRAM and Spin-transfer Torque MRAM (STT-MRAM). Toggle MRAM products include industry standard interfaces, including Parallel, Serial Peripheral Interface (SPI) and Quad SPI (QSPI) interfaces. Its STT-MRAM technology delivers products in dynamic random-access memory (DRAM), SRAM and NOR Flash applications. It offers its products with DDR3 and DDR4 derivative interfaces, facilitating the replacement of battery-backed DRAM with STT-MRAM. Its 3D Tunnel Magneto Resistance (TMR) sensors provide high magnetic sensitivity in a single component that performs 3D magnetic field measurements in a monolithic solution.