CXMTの新型DRAMアーキテクチャ進展で市場に懸念広がる、イーロン・マスク氏は中国の量産能力がDRAM市場の勢力図を塗り替える可能性を指摘

TradingKey - 中国のDRAMメーカーである長鑫メモリー・テクノロジーズ（CXMT）が高密度メモリアーキテクチャの開発を進めていることを巡り、投資家が汎用DRAMの供給、価格、市場シェアに対する中国メーカーの潜在的な影響を再評価し始めたことで、市場の懸念が高まっています。

テスラ（TSLA）およびスペースX（SPCX）の創業者であるイーロン・マスク氏はソーシャルプラットフォームのXで、中国がある製品の製造プロセスを習得すると、その規模拡大能力は世界の他の地域をはるかに凌駕すると述べました。リチウムイオン電池や太陽光関連製品を例に挙げ、中国は製造規模において明確な優位性を保持していると指摘しました。スペースXはまれな例外であり、ロケット打ち上げによって軌道に投入されるペイロード質量において、米国は依然として世界の他の地域をはるかに圧倒しています。

マスク氏はさらに、メモリチップも同様の軌跡をたどる可能性があると指摘しました。同氏は、RAMがほんの数年前まで低利益率のコモディティとみなされていたこと、またLP5やLP6などの製品の標準化された設計が、異なるメーカー間での大規模生産に本来適していることを指摘しました。中国メーカーが製造や歩留まりの課題を迅速に解決できれば、従来のRAM市場の競争環境はさらに大きな変化を遂げる可能性があります。

これらの発言は、長鑫メモリー・テクノロジーズ（CXMT）が次世代DRAMアーキテクチャの開発を加速させる中でなされたものです。同社は、4F²アーキテクチャを活用した次世代DDR5 RDIMM製品を2026年末までに投入する見込みであると表明しています。現在の主流である66F²アーキテクチャと比較して、4F²は単一メモリ記憶セルの面積を縮小し、理論上、単一ウェハにより多くの記憶セルを収めることを可能にします。

［出所：X］

DRAMメーカーにとって、この技術の核心的な価値は容量の増加だけでなく、コスト構造の改善にもあります。CXMTが量産時に安定した歩留まりを維持できれば、ウェハ当たりの実効ビット出荷量の増加が見込まれ、それによりビット当たりの製造コストが削減されます。これにより、同社は価格競争における柔軟性を高めたり、同じ販売価格での利益率を向上させたりすることができる可能性があります。

しかし、マスク氏の発言は、市場が異なる種類のメモリ製品を区別していることも反映しています。同氏は、従来のRAMは標準化の度合いが高く、製造能力と生産能力の増強が競争の鍵となる可能性があると考えています。対照的に、次世代HBMや、ロジック回路の下にSRAMを配置する構造、あるいはロジックチップの上にメモリを3D積層するアーキテクチャなどは、依然としてより高度な集積化と熱管理の課題に直面しています。