Speicherriese Kioxia liefert 332-Layer-Flash an KI-Rechenzentren aus, Aktien steigen nach wilden Schwankungen um über 10 %

TradingKey - Während der asiatischen Handelssitzung am 3. Juli gab der globale Speicherchip-Riese Kioxia bekannt, dass er offiziell mit der Bemusterung seiner 10. Generation der BiCS FLASH 3D-Flash-Speichertechnologie für Kunden begonnen hat. Mit einer gestapelten Architektur von 332 Lagen zielt dieser 1-Tb-TLC-Chip direkt auf die rasant steigende Nachfrage nach kapazitätsstarken und stromsparenden Speichern in KI-Rechenzentren ab und läutet damit eine neue Phase im „Speicherkrieg“ rund um die KI-Infrastruktur ein.

Obwohl der Nikkei 225-Index im frühen Handel unter Druck stand und der Aktienkurs von Kioxia aufgrund von Marktschwankungen zunächst um über 9 % einbrach, drehte die Aktie nach der Verarbeitung der technischen Details des neuen Produkts schnell ins Plus und legte um über 10 % zu, was eine kräftige Erholung darstellte. Bis zum Redaktionsschluss stieg der Aktienkurs von Kioxia um 10,07 % auf 83.940 Yen. Zuvor hatte Kioxia, begünstigt durch den KI-Boom, die Marktkapitalisierung von Toyota überholt und belegte den ersten Platz in Japan.

[Quelle: Futu]

Berichten zufolge stellt dieses Produkt der 10. Generation, das sich derzeit in der Bemusterung befindet, einen bedeutenden technologischen Sprung dar. Basierend auf der in der achten Generation eingeführten „CMOS directly Bonded to Array“ (CBA)-Technologie erreicht der Flash-Speicher der nächsten Generation eine NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gb/s, was einer Steigerung von 33 % gegenüber der Vorgängergeneration entspricht. Gleichzeitig führte die vertikale Stapelung von bis zu 332 Lagen in Kombination mit einer optimierten lateralen Dichte zu einer erstaunlichen Erhöhung der Bitdichte um 59 %. Noch wichtiger ist, dass sich die Lese- und Schreibenergieeffizienz um 18 % bzw. 30 % verbessert hat, was direkt das Problem des hohen Stromverbrauchs in Rechenzentren löst.

Das neue Produkt wird in Kioxias Fab2 in Kitakami in der japanischen Präfektur Iwate hergestellt, der weltweit einzigen Anlage des Unternehmens, die in der Lage ist, die Produktion von 332-Lagen-Flash-Speichern hochzufahren.

Angesichts des harten Wettbewerbs mit Konkurrenten wie Samsung und SK Hynix im Bereich der Flash-Speicher mit über 300 Lagen setzt Kioxia alles daran, seine Position in der Lieferkette für KI-Rechenzentren zu sichern, indem es den First-Mover-Vorteil von BiCS 10 nutzt. Marktquellen zufolge soll die Massenproduktion des Produkts im Werk Kitakami im Jahr 2027 anlaufen.