美光HBM月產能擬翻倍至10萬片，追趕三星與SK海力士
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美光計劃在2026年底前將高頻寬記憶體月產能提升至約10萬片晶圓，並加快推進HBM4 12層產品量產以匹配輝達新一代AI加速器需求。此舉旨在縮小與三星電子及SK海力士的產能差距，進一步爭奪AI記憶體市場市佔率並推動營收增長。
Tradingkey - 據韓聯社 9 月 4 日引述業界知情人士消息，美光（MU）計劃在 2026 年底前將高頻寬記憶體 (HBM) 月產能提升至約 10 萬片晶圓，較去年規模接近翻倍。若目標如期實現，美光與三星電子、SK 海力士之間的產能差距，或將縮小至目前的一半左右。
與此同時，美光正加快推進最新一代 HBM4 12 層產品的量產爬坡，以匹配輝達新一代 AI 加速器的需求。
美光HBM月產能或增至10萬片
業界人士透露，美光計劃新增最多 6 萬片晶圓的 HBM 月產能。該公司去年 HBM 月產量約為 4 萬至 5 萬片，新增產能投產後，總規模有望達到約 10 萬片。
為達成此目標，美光正在向多家 HBM 製造設備供應商追加訂單，相關設備陸續運往其台灣與新加坡工廠。目前美光的 HBM 封裝業務主要在台灣銅鑼廠與新加坡兀蘭廠推進，日本廣島工廠的設備投資也在籌備之中。
產能擴張背後，是 AI 伺服器和 AI 加速器對 HBM 的持續需求。由於 HBM 能夠提供更高的記憶體頻寬，已成為生成式 AI 訓練與推論系統中的關鍵元件。以輝達為代表的 AI 晶片廠商持續擴大採購規模，HBM 市場仍處於供不應求狀態。
HBM4 12層產品佔比將提升
除擴大產能外，美光也在調整 HBM 產品結構。目前，該公司的 HBM 產量仍以 HBM3E 12 層產品為主，但 HBM4 12 層產品的佔比預計將從 2026 年初的 20% 至 30%，提升至年底最高 50%。
HBM4 12 層產品被視為輝達新一代 AI 加速器「Vera Rubin」的配套記憶體。美光已在 2026 年第二季啟動該產品量產。
美光執行長 Sanjay Mehrotra 在 6 月舉行的 2026 財年第三季財報會議上表示，HBM4 12 層的量產產能爬升速度約為 HBM3E 12 層的兩倍。截至當時，美光 HBM4 累計出貨營收已突破 10 億美元。
美光仍需追趕三星和SK海力士
儘管美光是全球三大 HBM 製造商之一，但其產能仍明顯低於三星電子與 SK 海力士。業界普遍估計，三星電子與 SK 海力士的 HBM 月產能分別約為 15 萬至 20 萬片，是美光目前規模的 3 至 4 倍。
市佔率方面，Counterpoint Research 數據顯示，2026 年第二季全球 HBM 市場中，SK 海力士以 50% 的市佔率位居第一，三星電子佔 32%，美光佔 18%，長期處於第三位。
如果美光能夠在年底前將 HBM 月產能提升至約 10 萬片，並順利提高 HBM4 12 層產品佔比，其與兩大競爭對手之間的產能差距有望明顯收窄。對於美光而言，這不僅是爭奪 HBM 市佔率的關鍵行動，也是將 AI 記憶體需求轉化為營收成長的重要一步。
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