美光HBM月产能拟翻倍至10万片，追赶三星与SK海力士
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美光计划在2026年底前将高带宽内存月产能提升至约10万片晶圆，并加快推进HBM4 12层产品的量产爬坡以匹配英伟达AI加速器需求。在AI服务器强劲需求的推动下，此举有望将美光与三星电子及SK海力士的产能差距缩小至目前的一半左右，进一步巩固其在生成式AI硬件供应链中的市场地位。
Tradingkey - 据韩联社9月4日援引业内知情人士消息，美光（MU）计划在2026年底前将高带宽内存（HBM）月产能提升至约10万片晶圆，较去年规模接近翻倍。若目标如期实现，美光与三星电子、SK海力士之间的产能差距，或将缩小至目前的一半左右。
与此同时，美光正加快推进最新一代HBM4 12层产品的量产爬坡，以匹配英伟达新一代AI加速器的需求。
美光HBM月产能或增至10万片
业内人士透露，美光计划新增最多6万片晶圆的HBM月产能。该公司去年HBM月产量约为4万至5万片，新增产能投产后，总规模有望达到约10万片。
为实现这一目标，美光正在向多家HBM制造设备供应商追加订单，相关设备陆续运往其中国台湾和新加坡工厂。目前，美光的HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。
产能扩张背后，是AI服务器和AI加速器对HBM的持续需求。由于HBM能够提供更高的内存带宽，已成为生成式AI训练和推理系统中的关键部件。以英伟达为代表的AI芯片厂商持续扩大采购规模，HBM市场仍处于供不应求状态。
HBM4 12层产品占比将提升
除扩大产能外，美光也在调整HBM产品结构。目前，该公司的HBM产量仍以HBM3E 12层产品为主，但HBM4 12层产品的占比预计将从2026年初的20%至30%，提升至年底最高50%。
HBM4 12层产品被视为英伟达新一代AI加速器“Vera Rubin”的配套内存。美光已在2026年第二季度启动该产品量产。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra在6月举行的2026财年第三季度业绩发布会上表示，HBM4 12层的量产爬坡速度约为HBM3E 12层的两倍。截至当时，美光HBM4累计出货收入已突破10亿美元。
美光仍需追赶三星和SK海力士
尽管美光是全球三大HBM制造商之一，但其产能仍明显低于三星电子和SK海力士。业内普遍估计，三星电子和SK海力士的HBM月产能分别约为15万至20万片，是美光当前规模的3至4倍。
市场份额方面，Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度全球HBM市场中，SK海力士以50%的份额位居第一，三星电子占32%，美光占18%，长期处于第三位。
如果美光能够在年底前将HBM月产能提升至约10万片，并顺利提高HBM4 12层产品占比，其与两大竞争对手之间的产能差距有望明显收窄。对于美光而言，这不仅是争夺HBM市场份额的关键行动，也是将AI内存需求转化为营收增长的重要一步。
