三星配合輝達開發8層HBM4E，目標速度較初期樣品提升20%

TradingKey - 亞太時間 8 月 31 日，據韓國《首爾經濟日報》報導，三星電子正在按照輝達（NVDA）的要求開發 8 層 HBM4E，目標速度為 17 至 18 Gbps/Pin，較此前三星初期 HBM4E 樣品 14.4 Gbps 的速度提升約 20%，該產品將用於 NVHBM。截至發稿，三星官方尚未就此消息置評。

受 HBM4E 開發消息提振，三星電子午後由跌轉漲。早盤時段，受聯準會升息訊號、美國晶片關稅風險及韓國槓桿產品保證金上調新政等因素衝擊，韓國股市整體低開，三星電子一度跌逾 4% 至 24.6 萬韓元（約合 179 美元）。

午後消息傳出後股價反彈翻紅，截至收盤報 26 萬韓元，小幅收漲 1.17%。

【來源：TradingView】

輝達此次要求三星採用 8 層 HBM 方案，放棄了此前規劃的 12 層和 16 層。層數減少降低了晶圓薄化和堆疊封裝的後段製程難度，有利於提升良率、擴大產能。市場普遍認為，這是輝達應對 HBM 供應緊張的策略。

8 月 26 日，輝達正式發布 NVHBM，這是面向採用 NVLink Fusion 平台的客製化 AI 晶片客戶推出的 HBM 方案。

該方案將記憶體控制器從主晶片移至 HBM 堆疊的基底晶片之中，與標準 HBM4E 方案相比，頻寬最高提升 30%、功耗降低 15%，並使主晶片可用計算面積最多增加 25%。亞馬遜（AMZN）旗下 Annapurna Labs 是首家合作夥伴。

NVHBM 這類客製化產品需要同時具備 DRAM 晶片和邏輯基底晶片的設計生產能力。而三星同時擁有 DRAM 製造與晶圓代工業務，可在內部完成 HBM DRAM 晶圓和邏輯基底的生產，因此被業界視為參與客製化 HBM 競爭的關鍵供應商之一。

不過，開發階段的合作與量產訂單落地是兩回事。三星配合輝達開發 8 層 HBM4E，並不意味著已經獲得 NVHBM 批量供應合約。目前公開資訊中，雙方具體的供貨規模與時間表均未披露。