三星配合英伟达开发8层HBM4E，目标速度较初期样品提升20%
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三星正按英伟达要求开发8层HBM4E以用于NVHBM，目标速度提升约20%，消息推动其股价午后翻红收涨1.17%。此举降低了封装工艺难度并有利于提升良率。凭借DRAM与晶圆代工协同优势，三星成定制HBM关键供应商，但合作开发尚未转化为量产订单，具体供货规模与时间表仍未披露。
TradingKey - 亚太时间8月31日，据韩国《首尔经济日报》报道，三星电子正在按照英伟达（NVDA）的要求开发8层HBM4E，目标速度为17至18Gbps/Pin，较此前三星初期HBM4E样品14.4Gbps的速度提升约20%，该产品将用于NVHBM。截至发稿，三星官方尚未就此消息置评。
受HBM4E开发消息提振，三星电子午后由跌转涨。早盘时段，受美联储加息信号、美国芯片关税风险及韩国杠杆产品保证金上调新政等因素冲击，韩国股市整体低开，三星电子一度跌逾4%至24.6万韩元（约合179美元）。
午后消息传出后股价反弹翻红，截至收盘报26万韩元，小幅收涨1.17%。
【来源：TradingView】
英伟达此次要求三星采用8层HBM方案，放弃了此前规划的12层和16层。层数减少降低了晶圆薄化和堆叠封装的后端工艺难度，有利于提升良率、扩大产能。市场普遍认为，这是英伟达应对HBM供应紧张的策略。
8月26日，英伟达正式发布NVHBM，这是面向采用NVLink Fusion平台的定制AI芯片客户推出的HBM方案。
该方案将内存控制器从主芯片移至HBM堆栈的基片之中，与标准HBM4E方案相比，带宽最高提升30%、功耗降低15%，并使主芯片可用计算面积最多增加25%。亚马逊（AMZN）旗下Annapurna Labs是首家合作伙伴。
NVHBM这类定制化产品需要同时具备DRAM芯片和逻辑基底芯片的设计生产能力。而三星同时拥有DRAM制造与晶圆代工业务，可在内部完成HBM DRAM 晶圆和逻辑基底的生产，因此被业内视为参与定制HBM竞争的关键供应商之一。
不过，开发阶段的合作与量产订单落地是两回事。三星配合英伟达开发8层HBM4E，并不意味着已经获得NVHBM批量供应合同。目前公开信息中，双方具体的供货规模与时间表均未披露。
