台積電研發"類EMIB"封裝技術對標英特爾,ADR漲逾7%,台股同步攻上漲停
美東時間7月30日報導,台積電正研發對標英特爾EMIB的「類EMIB」封裝技術,旨在緩解CoWoS產能緊缺並擴大市場份額。此技術具備成本更低與面積利用率高等優勢,且台積電已與景碩科技合作開發配套載板。受此利多及微軟財報提振,台積電股價顯著上揚。目前先進封裝市場正分化為CoWoS與EMIB兩大技術路徑,後者更偏向成本敏感型與大面積封裝需求。儘管台積電技術路徑多元化,但因英特爾EMIB技術布局更早,且客戶封裝轉換成本高昂,台積電能否成功搶占份額,仍取決於後續研發進程與客戶導入意願。

TradingKey - 美東時間 7 月 30 日,據《The Information》報導,台積電(TSM)正在研發一項對標英特爾(INTC)EMIB 的先進封裝技術,內部將其稱為「類 EMIB」。消息傳出後,台積電美股 ADR 周四大漲 7.64%,收報 403.31 美元。
7 月 31 日亞盤時段,受隔夜台積電 ADR 大漲及微軟財報優於預期點燃 AI 投資信心的雙重提振,台積電台股開盤跳空大漲,盤中一舉攻上漲停板 2425 元(約 74.8 美元),漲幅達 9.98%。

【來源:TradingView】
晶片封裝是半導體製造的最後一道工序,過去一直被視為相對標準化的後段流程。然而,隨著 AI 晶片不斷向更高算力、更大頻寬發展,需要將多個 GPU、CPU 及高頻寬記憶體 (HBM) 整合在同一封裝內,先進封裝已成為 AI 產業鏈最關鍵的產能瓶頸之一。
台積電總裁魏哲家先前坦言,CoWoS 產能「極度緊張,已限制客戶業務擴張」,先進製程與封裝產能預訂已排至 2027 年。
在此背景下,英特爾的 EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)技術受到市場關注。與 CoWoS 依賴大面積矽中介層(Interposer)不同,EMIB 透過在晶片邊緣嵌入微型矽橋實現高速互連,無需使用完整矽中介層,因此理論上具備更低的封裝成本、更高的面積利用率,並能夠支援更大規模的異質晶片整合。
據報導,Google(GOOGL)已計劃委託英特爾生產逾 300 萬顆 TPU,輝達(NVDA)也在評估是否導入 EMIB 方案。
面對 EMIB 的競爭,台積電開發「類 EMIB」技術,既是為了緩解 CoWoS 產能長期緊張帶來的壓力,也是為了搶占更廣泛的先進封裝市場。若該方案順利落地,台積電將在 CoWoS 之外新增一條成本更低、適用範圍更廣的封裝路線,為客戶提供更多選擇,並降低對單一封裝架構的依賴。
據知情人士透露,台積電目前正與台灣本土晶片載板廠商景碩科技展開合作。在該分工體系中,景碩科技將負責承載微型矽橋的先進基板設計、測試與製造。
不過挑戰同樣存在。英特爾在 EMIB 技術上已布局多年,並已進入部分客戶導入階段。台積電的類 EMIB 仍處於研發早期,客戶一旦選定封裝路線,後期切換成本極高。
AI 浪潮之下,先進封裝正沿兩條技術路線同時推進。CoWoS 持續服務於旗艦訓練晶片,EMIB 路線則填補對成本更敏感、封裝面積更大的需求。台積電能否從英特爾手中搶下更多的市占率,取決於技術推進速度與客戶導入意願。
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