三星率先交付HBM4E樣品，AI記憶體市場加速追趕SK海力士

TradingKey - 亞盤時間 5 月 29 日，三星電子宣布已開始向全球客戶出貨業界首款 12 層堆疊 HBM4E 樣品，該消息推動公司股價盤中大漲近 6%，市場對其在 AI 記憶體市場縮小與 SK 海力士差距的預期升溫。

截至首爾時間上午 11 時 33 分，三星電子股價上漲 4.01%，報 31.15 萬韓元，股價再創歷史新高。韓國綜合股價指數 (KOSPI) 同期上漲約 2.3%。

【來源：TradingView】

三星表示，HBM4E（高頻寬記憶體）樣品採用 12 層堆疊，容量達 48GB，接腳速度穩定 14Gbps，可擴展至 16Gbps，較已量產的 HBM4 提升逾 20%，每堆疊記憶體頻寬達 3.6TB/s。公司還計劃推出 32GB（8 層）和 64GB（16 層）版本。

三星電子執行副總裁兼記憶體研發主管黃尚俊在聲明中表示：「繼 HBM4 成功量產之後，三星憑藉 HBM4E 再次展現其獨特的技術優勢」。

曾經在 HBM3E 時代，SK 海力士憑藉先發優勢佔據主導地位，三星卻因為技術路線失誤、製程良率過低而落後於對手。直到 2025 年 9 月，三星 12 層 HBM3E 產品才通過輝達測試，開始趕上競爭對手的進度 。

而三星自今年 2 月率先量產 HBM4 後，又搶先交付 HBM4E 樣品，已經後來居上，打破了 SK 海力士長期佔據的先發優勢。據產業分析，SK 海力士的 HBM4E 樣品預計 2026 年下半年供應，量產計劃在 2027 年。

分析指出，這將帶給美光和 SK 海力士極大的時間窗口壓力，這兩家公司均預計在 2027 年才進入 HBM4E 量產階段。這意味著三星此次領先，有可能成為記憶體產業格局劇變的開端。

KB 證券在 5 月 28 日將三星電子目標股價從 45 萬韓元大幅上調至 53 萬韓元，指出輝達即將推出的 Vera Rubin AI 平台將使記憶體成本佔比升至 25%，三星憑藉新一代記憶體方案佈局將成為主要受益者之一。

三星從 HBM3E 時代的追趕者，到 HBM4 量產領先，再到 HBM4E 樣品率先交付，三星的技術整合與量產能力提升明顯。不過，SK 海力士客戶基礎與產能儲備仍穩固，三星能否將先發優勢轉為持續份額，取決於年底前 HBM4E 量產良率及輝達 Vera Rubin 平台導入進度。短期股價上漲已部分反映樂觀預期，後續需關注樣品驗證結果。

隔夜美國半導體板塊上漲及中東地緣風險暫緩，也助推了韓國股市整體情緒。那斯達克指數週四收漲 0.91%，AMD和ARM分別上漲 4.55% 和 10.76%。