韓股強勢反彈觸發買入側熔斷,KOSPI大漲逾7%,SK海力士暴漲12%
7月15日韓國股市強勁反彈,KOSPI指數盤中漲幅超7%,韓國交易所啟動買入側「Sidecar」機制暫停程式化交易5分鐘。本波行情主要由半導體權值股帶動,SK海力士與三星電子大幅走升。漲勢核心歸因於美東時間7月14日美股表現提振,巴克萊給予SK海力士ADR「加碼」評等,疊加美國通膨數據低於預期,提升科技股風險偏好。分析指出AI領域對HBM及DRAM需求強勁,供需缺口預計延續至2027年。惟需注意,SK海力士ADR相對於本土股已現顯著溢價,且市場波動加劇,短期內面臨獲利了結及估值調整風險。

TradingKey - 7 月 15 日亞洲交易時段,韓國股市強勢反彈,KOSPI 指數盤中漲幅一度超過 7%。隨著 KOSPI 200 股指期貨快速上漲並達到觸發條件,韓國交易所啟動買入側「Sidecar」機制,程式化交易買單申報暫停 5 分鐘。該機制主要用於抑制指數期貨劇烈波動向現貨市場傳導,與暫停全市場交易的全面熔斷有所區別。
半導體權值股成為本波行情的主要推動力量。SK 海力士盤中上漲 12%;三星電子上漲近 8%,韓美半導體一度上漲約 25%。由於 SK 海力士和三星電子在 KOSPI 指數中佔有較高權重,兩檔股票大幅反彈顯著放大了指數漲幅。

SK 海力士股價日線圖,來源:TradingView
韓股上漲直接受到前一日美股表現提振。美東時間 7 月 14 日,SK 海力士 ADR (SKHY) 大漲 27.29%,報 193.92 美元,表現明顯優於其韓國本土股票。巴克萊首次給予 SK 海力士 ADR「加碼」評等,並給出 330 美元目標價,強化了美國投資人對 AI 記憶體晶片需求與公司估值重估的預期。
與此同時,美國通膨數據低於市場預期,推動標普 500 指數與那斯達克指數反彈,科技股風險偏好回升。美光科技 (MU) 前一日也上漲 4.92%,顯示資金重新流入記憶體晶片類股。
分析師認為,AI 伺服器、雲端運算和行動裝置對 DRAM 及高頻寬記憶體 (HBM) 的需求仍然強勁,目前供應商只能滿足約 75% 至 80% 的需求,2027 年供需缺口可能進一步擴大。不過,SK 海力士美股 ADR 相對韓國本土股票已出現較高溢價,加上近期韓股波動劇烈,市場短期仍可能面臨獲利了結和估值快速調整的風險。
本內容經由 AI 翻譯並經人工審閱,僅供參考與一般資訊用途,不構成投資建議。











