DRAM連漲兩季後三星再提20%漲價目標！AI擠佔產能引發連鎖反應，儲存巨頭開啟新一輪提價潮？
AI 播客
受AI基礎建設強勁需求驅動，記憶體晶片市場供給持續吃緊。三星電子正推動第三季DRAM價格上調目標達20%，反映記憶體產業結構性短缺。受此影響，消費電子及汽車工業供應鏈成本顯著攀升，終端產品面臨漲價壓力。儘管市場對漲幅能否完全落地存在分歧，預期受長期供貨協議（LTA）保護及數據中心資本支出維持高檔支撐，記憶體廠商的高盈利水平有望延續至明年。需密切關注下游廠商轉嫁成本的能力及合約價漲幅收斂風險。
TradingKey - 在 AI 基礎建設投資熱潮持續升溫的背景下，全球記憶體晶片市場的漲價週期仍在延續。
7 月 3 日，據韓國 IT 媒體 ZDNet Korea 報導，三星電子正與下游客戶展開第三季 DRAM 價格談判，目標將平均售價（ASP）較上一季最高上調 20%，其中伺服器和行動端均面臨供給瓶頸的低功耗 DRAM（LPDDR）漲價幅度甚至有望超過 20%。
三星此次在價格談判中展現出強硬姿態，底氣來源於 AI 算力需求爆發帶來的記憶體晶片結構性短缺。
隨著全球科技巨頭加速構建 AI 伺服器集群，單台 AI 伺服器的 DRAM 用量是傳統伺服器的 8 至 10 倍，而高頻寬記憶體（HBM）的需求更是呈指數級增長。
為搶佔 AI 時代的技術制高點，三星等頭部廠商將大量產能向 HBM 傾斜，直接導致通用 DRAM 及行動端 LPDDR 的供給出現嚴重缺口。目前，伺服器 DRAM、HBM 和 LPDDR 三大品類均處於供不應求狀態，給記憶體廠商帶來了前所未有的議價權。
事實上，這已經是三星今年第三次推動 DRAM 漲價。
今年第一季，三星 DRAM 平均售價較上季暴漲約 90%。第二季漲幅雖有所收窄，但仍達到 50% 至 60%。第三季目標 20% 的漲幅雖然相較前兩個季有所放緩，但在產業高基期的背景下依然堪稱激進。
相比之下，HBM 生產佔比較高的 SK 海力士漲價幅度預計低於三星，這種差異主要源於兩家公司產品結構的不同——三星通用 DRAM 佔總產量比重更高，價格彈性更大，且在推動漲價方面態度更為積極。
全產業鏈成本壓力持續攀升
DRAM價格的持續上漲正引發全產業鏈的連鎖反應。在消費電子領域，蘋果、小米等手機廠商已率先上調新機售價，高端遊戲整機成本上漲超萬元，DIY裝機成本大幅抬升。
在汽車與工業領域，車規級DDR5現貨漲幅超300%，導致整車製造成本增加，甚至引發醫療設備供應鏈斷裂的預警。
值得注意的是，三星此次調價正值多款旗艦產品發布前夕，包括三星三款折疊螢幕手機、蘋果兩款高銷量iPhone以及首款折疊螢幕iPhone，DRAM價格上調將直接影響後續手機成本結構。
對於下游PC和手機廠商而言，成本壓力正不斷加大。不少廠商已經下調盈利目標，而三星推動的新一輪漲價可能使相關壓力進一步加重。
儘管蘋果和三星移動部門已為第三季度旗艦機準備好DRAM，但2026年第四季度和2027年第一季度推出的移動設備，例如Galaxy S27系列，可能更難應對零部件成本上升。
如果三星成功推動20%左右的漲價，SK海力士和美光科技也可能跟進採取類似舉措，進一步加劇下游廠商的成本壓力。
長期供應協議鎖定高盈利預期
儘管市場對 DRAM 價格能否延續此前上漲速度存在疑慮，但行業普遍認為，記憶體廠商的高盈利水平有望延續至明年。
核心支撐因素在於，客戶與記憶體廠商之間簽訂長期供貨協議（LTA）的規模正在持續擴大。這些長協不僅鎖定了購買量，還設定了保障高利潤水平的價格下限，有效抑制了未來價格急劇下行的風險。
例如，美光科技上月末披露已與客戶簽訂 16 份長期供應協議，反映出客戶對中長期記憶體供給持續偏緊的預判。
同時，AI 算力需求的持續性也為記憶體市場提供了堅實支撐。日本記憶體巨頭鎧俠 CEO Hiroo Ota 明確表示，未觀察到數據中心需求減弱跡象，暗示公司可能增加資本支出。
Meta 儘管推進雲端服務商業化、向外部出售內部剩餘算力，但今年 4 月已將全年 AI 基礎設施投資計劃上調至 1250 億至 1450 億美元，持續擴大資本支出的方向未變。
三星漲價計劃前景存變數
不過，三星此次漲價計劃能否完全落地仍存在變數。一位半導體業界人士表示，三星在第三季度價格談判中態度非常強硬，但客戶是否能夠全盤接受目前尚無定論。
部分買方採購價受限於長約規定，整體價格漲幅可能會有所收斂。TrendForce集邦諮詢預計，2026年第三季DRAM合約價漲幅將收斂至13-18%，低於三星提出的20%的目標。
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