黃仁勳點名致謝！三星是否成為輝達GTC最大贏家

TradingKey - 在輝達 GTC 2026 大會上，三星電子與輝達（NVDA）的深度合作成為產業焦點。

雙方不僅在晶片代工領域實現突破，更在記憶體技術、系統架構等多維度展開協同，共同推動 AI 推理時代的產業變革，這一合作也推動三星電子韓股股價在消息公佈後的週二交易日內漲幅超過 4%。

輝達首啟三星代工 LPX 晶片

輝達在本次大會上正式推出基於 Groq 技術的 LPX 推理機架，這一產品採用「分解式推理」架構，將 AI 推理過程分為預填充和令牌生成兩個階段，分別由 Rubin GPU 和 Groq LPU 晶片負責處理。

其中，Groq 的核心產品 LP30 晶片由三星電子代工生產，這是輝達首次將伺服器晶片訂單交給台積電（TSM）以外的廠商。

黃仁勳在主題演講中特別致謝三星：「感謝三星全力以赴生產 Groq 3 LPU 晶片，他們的產能擴張速度超出預期」，公開確認了雙方在代工領域的深度合作。

從硬體配置來看，單個 LPX 機架可容納 256 個 LP30 晶片，而一個 Vera Rubin NVL72 系統對應一個 LPX 機架（GPU 與 LPU 比例為 72:256）。

根據市場需求預測，若全球部署 10 萬個 LPX 機架，三星代工業務有望創造近 100 億美元的收入。與台積電為單個 Rubin GPU 提供的 1000-2000 美元代工服務相比，三星透過 LPX 晶片製造以及配套的 HBM 和 DRAM 供應，總業務價值可達台積電的 3-4 倍。

HBM4E 的性能飛躍

三星電子當天還在 GTC 展會現場的展位上，首次公開展出下一代高頻寬記憶體 HBM4E 的實物晶片與核心晶圓，全方位展示其與輝達在 AI 記憶體領域的深度協同。

三星記憶體事業部負責人表示，將依託 HBM4 量產累積的第六代 10nm 級 DRAM 製程，以及 4 奈米基片設計能力，加速 HBM4E 的商業化落地，預計今年下半年向全球客戶提供樣品。

在本次大會上，三星是唯一一家公開展示下一代 HBM 產品的記憶體廠商，此舉被視為在 AI 記憶體賽道拉開與 SK 海力士、美光等競爭對手的技術差距。

除了 HBM4E，三星還展出了混合銅鍵合（HCB）技術。與傳統的熱壓鍵合（TCB）相比，HCB 技術可將熱阻降低 20%，並支持 16 層以上的晶片堆疊，為下一代 HBM 產品的性能提升奠定了基礎。

三星強調，強大的 AI 系統是推動行業創新的關鍵，三星將持續為輝達 Vera Rubin 平台提供高性能記憶體解決方案。

在展台上，三星特設「NVIDIA 畫廊」，集中展示雙方在記憶體領域的合作成果，包括 HBM4、SOCAMM2 伺服器記憶體模組以及 PM1763 SSD 等產品。

其中，SOCAMM2 是業界首款量產的低功耗伺服器記憶體模組，兼具高頻寬和靈活的系統整合能力；PM1763 SSD 採用 PCIe 6.0 介面，能夠為 AI 應用提供高速數據傳輸和大容量存儲支持。

三星全場景 AI 計算佈局

與此同時，三星還在本次大會上展示了全面的 AI 計算領域的佈局，覆蓋從端側設備到數據中心的各個場景。

針對個人設備場景，三星展出了為 NVIDIA DGX Spark 配備的 PM9E3 和 PM9E1 NAND 產品，以及面向高端智慧型手機、平板電腦的 LPDDR5X 和 LPDDR6 DRAM 解決方案。其中，LPDDR6 將頻寬提升至每引腳 30-35Gbps，並引入自適應電壓調節和動態刷新控制功能，為下一代端側 AI 工作負載提供性能支持。

在數據中心領域，三星的 PM1753 SSD 作為 NVIDIA Vera Rubin 平台加速存儲基礎設施參考架構的一部分，能夠提升推理工作負載的能效和系統性能。

此外，三星還展示了與輝達在 AI 工廠開發方面的合作成果，雙方計劃引入 NVIDIA 加速計算技術，擴展三星的 AI 工廠規模，並加速基於 NVIDIA Omniverse 庫的製造數位孿生落地。

隨著 AI 市場的快速增長，三星與輝達的深度合作有望為其帶來持續的業務增長和技術創新動力。