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Ações de memória voltam a cair enquanto Micron recua mais de 3%, mas Goldman diz que mercado superestima impacto tecnológico da CXMT

TradingKey16 de out de 2026 às 15:20

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As ações de chips de memória sofreram forte queda semanal com o temor de que o avanço arquitetônico da ChangXin Memory Technologies (CXMT) pressione os preços futuros. Contudo, analistas apontam que a oferta atual permanece restrita devido à alta demanda por data centers, impulsionando projeções de alta nos preços para DRAM, NAND e HBM até 2027. O mercado pode ter superestimado o impacto da CXMT, cujas barreiras técnicas e restrições de equipamentos limitam sua competitividade em HBM a médio prazo. Gigantes como Micron, SanDisk e SK Hynix mantêm contratos de longo prazo, apresentando perfis atraentes diante de expectativas pessimistas exageradas.

Resumo gerado por IA

TradingKey - 16 de outubro: As ações do setor de memória voltaram a sofrer forte queda na sexta-feira, com a SK Hynix (SKHY) caindo mais de 5%, a SanDisk (SNDK) recuando mais de 4% e a Micron (MU) caindo mais de 3%, o que levou seus recuos semanais a 18%, 15% e 13%, respectivamente. O mercado teme que o avanço na arquitetura 4F2 anunciado pela ChangXin Memory Technologies (CXMT) possa aliviar a escassez de chips de memória, pressionando assim os preços e os lucros dos fabricantes.

Por trás desse recuo estão duas questões em diferentes horizontes temporais: se a oferta imediata continua apertada e qual será a dimensão do impacto da futura expansão de capacidade da ChangXin.

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Gráfico das ações da Micron, Fonte: TradingView

Oferta atual permanece restrita enquanto demanda por data centers eleva expectativas de alta nos preços

O analista John Vinh, da KeyBanc Capital Markets, destacou, após pesquisas de campo na Ásia, que os fornecedores estão redirecionando uma parcela maior da capacidade de memória para data centers. Ele projeta que isso reduzirá a oferta de memória para PCs e smartphones de 20% a 30% em 2027.

Com base na demanda por IA e nas mudanças na alocação de capacidade, Vinh projeta que os preços das memórias DRAM subirão de 15% a 20% na comparação trimestral no quarto trimestre de 2026, com os preços das memórias NAND avançando cerca de 20%; já no primeiro trimestre de 2027, os preços das memórias HBM podem disparar de 80% a 100% em relação ao trimestre anterior. Embora essas previsões ainda dependam de confirmação, elas explicam por que o mercado continua atento a novos aumentos nos preços dos chips de memória: os data centers estão absorvendo mais capacidade, reduzindo a oferta disponível para outros mercados.

Os clientes também estão garantindo a oferta com antecedência. A HP e a Dell estenderam seus acordos de fornecimento até 2031, e o Google está em negociações para contratos que se estendem até 2035. O avanço dos acordos de longo prazo dá aos fornecedores maior visibilidade sobre a demanda futura.

Expansão da ChangXin é um risco; avanço no HBM ainda enfrenta barreiras técnicas

O crescimento da capacidade da CXMT não pode ser ignorado. O Goldman Sachs prevê que sua capacidade mensal de wafers DRAM aumentará de 290.000 wafers até o final de 2026 para 513.000 wafers até o final de 2028, um aumento de cerca de 77%. O Goldman Sachs acredita que as preocupações do mercado com essa oferta adicional são justificadas.

No entanto, o Goldman Sachs também avalia que o mercado superestimou o impacto tecnológico dos avanços na arquitetura 4F². A CXMT ainda fica atrás das concorrentes sul-coreanas em DRAM de processo avançado e HBM; a competição em HBM depende não apenas da tecnologia DRAM, mas também de encapsulamento e de capacidades avançadas de fabricação de die de base. Além disso, os controles de exportação que restringem a aquisição de máquinas de litografia EUV por fundições chinesas aumentam ainda mais a dificuldade de alcançar as líderes do setor.

Da mesma forma, a expansão da capacidade não significa ser capaz de atender plenamente ao mercado interno. O Goldman Sachs estima que, até 2028, a CXMT ainda atenderá a apenas cerca de 50% da demanda interna chinesa por DRAM e 40% da demanda por HBM. Consequentemente, o Goldman Sachs acredita que múltiplos preço/valor patrimonial (P/VP) abaixo de 1x para a Samsung Electronics e a SK Hynix já refletem expectativas excessivamente pessimistas quanto a um ciclo de baixa em 2028, tornando o perfil de risco-retorno dessas empresas atraente.

Micron, SanDisk e SK Hynix se beneficiam em diferentes segmentos

Embora as três empresas enfrentem o mesmo ciclo de memória, suas áreas de benefício diferem.

A Micron está alinhada aos principais vetores de demanda por DRAM e HBM. Vinh acredita que os resultados da pesquisa são mais positivos para a Micron, já que o número de seus acordos estratégicos com clientes cresceu de 16 no segundo trimestre para 26 no terceiro trimestre.

A SanDisk está mais diretamente ligada ao mercado NAND. Além das expectativas de aumento nos preços de NAND, a empresa assinou acordos de longo prazo com oito clientes, incluindo várias grandes empresas de tecnologia.

O foco da SK Hynix está na demanda por HBM e nos riscos competitivos de longo prazo representados pela CXMT. A empresa finalizou acordos de longo prazo com grandes clientes. Para a SK Hynix, a questão imediata a monitorar é se os aumentos de preços previstos para HBM vão se materializar; a variável de longo prazo é a rapidez com que a expansão de capacidade da CXMT se traduzirá em oferta efetiva.

Portanto, vale a pena acompanhar o progresso da CXMT, mas as previsões de expansão de capacidade para 2028 não devem ser diretamente equiparadas a uma reversão imediata na oferta e na demanda.

Este conteúdo foi traduzido por IA e revisado por humanos. Ele é fornecido apenas para fins informativos e de referência, não constituindo aconselhamento financeiro ou recomendação de investimento.

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