Samsung trabalha com a Nvidia para desenvolver HBM4E de 8 camadas, visando aumento de 20% na velocidade em relação às amostras iniciais

TradingKey — Em 31 de agosto, no horário da Ásia-Pacífico, de acordo com o jornal sul-coreano Seoul Economic Daily, a Samsung Electronics está desenvolvendo HBM4E de 8 camadas conforme os requisitos da Nvidia (NVDA), visando velocidades de 17 a 18 Gbps/pino, um aumento de aproximadamente 20% em relação à velocidade de 14,4 Gbps das amostras iniciais de HBM4E da Samsung. O produto será utilizado para a NVHBM. Até o fechamento desta reportagem, executivos da Samsung não haviam comentado o relato.

Impulsionada pelas notícias sobre o desenvolvimento da HBM4E, a Samsung Electronics reverteu as perdas anteriores e subiu nos negócios da tarde. Durante a sessão da manhã, atingidos por fatores como sinais de alta de juros pelo Federal Reserve, riscos de tarifas dos EUA sobre chips e novas políticas sul-coreanas que aumentaram as exigências de margem em produtos alavancados, os mercados acionários da Coreia do Sul abriram em baixa generalizada, com a Samsung Electronics despencando mais de 4% a certo ponto, para 246.000 wons (cerca de US$ 179).

Após a divulgação da notícia no período da tarde, a ação se recuperou para o campo positivo, fechando em leve alta de 1,17%, a 260.000 wons.

[Fonte: TradingView]

A Nvidia solicitou que a Samsung adotasse uma solução HBM de 8 camadas desta vez, abandonando as configurações de 12 e 16 camadas planejadas anteriormente. A redução no número de camadas diminui a dificuldade de processos de back-end, como o afinamento de wafers e o encapsulamento por empilhamento, o que ajuda a melhorar os rendimentos e expandir a capacidade de produção. O consenso do mercado vê isso como uma estratégia da Nvidia para conter a escassez de oferta de HBM.

Em 26 de agosto, a Nvidia lançou oficialmente a NVHBM, uma solução HBM projetada para clientes de chips de IA personalizados que utilizam a plataforma NVLink Fusion.

Esta solução transfere o controlador de memória do chip principal para o die base do empilhamento de HBM. Em comparação com a solução HBM4E padrão, a largura de banda aumenta em até 30%, o consumo de energia é reduzido em 15% e a área de computação disponível no chip principal aumenta em até 25%. A Annapurna Labs, subsidiária da Amazon (AMZN), é sua primeira parceira.

Produtos personalizados como a NVHBM exigem capacidades de design e fabricação tanto para chips DRAM quanto para dies base lógicos. Como a Samsung opera negócios de fabricação de DRAM e de fundição (foundry), ela pode produzir wafers de DRAM HBM e dies base lógicos internamente, sendo amplamente considerada no setor como uma fornecedora essencial para competir no mercado de HBM personalizado.

No entanto, a cooperação durante a fase de desenvolvimento é diferente de garantir pedidos de produção em grande escala. A colaboração da Samsung com a Nvidia para desenvolver a HBM4E de 8 camadas não implica que ela tenha garantido um contrato de fornecimento em massa para a NVHBM. Nas informações públicas disponíveis até o momento, os volumes de fornecimento específicos e os cronogramas entre as duas partes não foram divulgados.