Rendimento do CoWoS da TSMC supera 98% em algumas linhas, mira tamanho de retículo de 14x até 2029

TradingKey — Em 11 de agosto, a TSMC revelou na OCP APAC Summit que sua solução de encapsulamento avançado CoWoS com tamanho de retículo de 5,5x entrou na fase de produção em massa. A solução pode acomodar até 12 pilhas de HBM4 e foi validada em produtos de diversos clientes de IA, com taxas de rendimento (yield) de certos chips de IA superando consistentemente 98%, e casos individuais chegando a 99%.

Após as notícias sobre o avanço na taxa de rendimento do CoWoS, as ações da TSMC ampliaram os ganhos. No mercado acionário dos EUA em 12 de agosto, os ADRs da TSMC (TSM) fecharam a US$ 429,15, alta de 1,68% em relação ao pregão anterior, atingindo uma máxima intradiária de US$ 433,28.

[Fonte: TradingView]

Jun He, vice-presidente de Tecnologia e Serviços de Encapsulamento Avançado da TSMC, afirmou que, nos últimos três anos, a capacidade de CoWoS da empresa se expandiu a um ritmo que quase dobrou a cada ano, e que a TSMC opera atualmente 10 instalações de encapsulamento avançado. Investidores institucionais estimam que a capacidade mensal de CoWoS da TSMC alcance 140.000 wafers até o final de 2026 e aumente ainda mais, para 220.000 wafers, em 2027.

Além de expandir a capacidade, a TSMC também continua avançando no encapsulamento avançado de maiores dimensões. He revelou que a empresa pretende aumentar ainda mais o tamanho do encapsulamento para especificações de retículo de 14x até 2029, momento em que um único encapsulamento será capaz de acomodar até 10 dies de processamento de grande porte e 20 pilhas de HBM.

No entanto, à medida que o tamanho dos encapsulamentos continua se expandindo, a dificuldade de fabricação aumenta correspondentemente. Conforme chips lógicos, HBM, interposers e substratos são integrados em encapsulamentos maiores, as diferenças de expansão térmica entre os diferentes materiais, o estresse mecânico e os problemas de dissipação térmica tornam-se ainda mais proeminentes. Quanto maior a escala do encapsulamento, mais provável é que qualquer defeito localizado afete a operação estável de todo o sistema de IA.

Por isso, He destacou que, para data centers de IA de alta densidade, depender apenas de componentes individuais para atender a altos padrões de confiabilidade já não é suficiente. Para manter a taxa de falha geral dentro de uma faixa aceitável, a confiabilidade de certos componentes do encapsulamento precisa inclusive superar os padrões de nível automotivo. Isso também significa que a competição em chips de IA de próxima geração não se limita mais apenas aos nós de processo, mas está migrando gradualmente para a otimização colaborativa entre chips, HBM, encapsulamento avançado, dissipação térmica e sistemas.