Samsung é a primeira a entregar amostras de HBM4E, acelerando a perseguição à SK Hynix no mercado de memórias para IA

TradingKey - Durante o horário de negociação asiático em 29 de maio, a Samsung Electronics anunciou que começou a enviar as primeiras amostras de HBM4E de 12 camadas da indústria para clientes globais. A notícia impulsionou as ações da empresa em quase 6% no intradia, à medida que cresceram as expectativas do mercado de que ela reduziria a diferença em relação à SK Hynix no mercado de memórias para IA.

Até às 11h33, horário de Seul, o preço das ações da Samsung Electronics subiu 4,01%, para 311.500 won coreanos, atingindo uma nova máxima histórica. O Korea Composite Stock Price Index (KOSPI) subiu aproximadamente 2,3% durante o mesmo período.

[Fonte: TradingView]

A Samsung afirmou que as amostras de HBM4E (High Bandwidth Memory) apresentam uma arquitetura de 12 camadas com capacidade de 48 gigabytes (GB) e velocidades de pinos de até 16 gigabits por segundo (Gbps) — uma melhoria de mais de 20% em relação ao HBM4 produzido em massa — com uma largura de banda de memória de 3,6 terabytes por segundo (TB/s) por camada. A empresa também planeja lançar versões de 32 GB (8 camadas) e 64 GB (16 camadas).

Após o sucesso da produção em massa do HBM4, a Samsung demonstrou mais uma vez suas vantagens técnicas exclusivas com o HBM4E", disse Sang-Joon Hwang, vice-presidente executivo e chefe de Produtos e Tecnologia de Memória da Samsung Electronics, em comunicado.

Durante a era HBM3E, a SK Hynix dominou o mercado graças à sua vantagem pioneira, enquanto a Samsung ficou para trás devido a erros estratégicos em seu cronograma técnico e baixos rendimentos de fabricação. Foi apenas em setembro de 2025 que os produtos HBM3E de 12 camadas da Samsung passaram nos testes da NVIDIA, permitindo que ela começasse a alcançar seus rivais.

No entanto, após assumir a liderança na produção em massa de HBM4 em fevereiro deste ano, a Samsung agora entregou preventivamente amostras de HBM4E, superando com sucesso a SK Hynix e quebrando sua vantagem pioneira histórica. De acordo com análises do setor, espera-se que a SK Hynix forneça amostras de HBM4E no segundo semestre de 2026, com a produção em massa planejada para 2027.

Analistas apontaram que isso colocará uma pressão significativa sobre a Micron e a SK Hynix em relação aos seus cronogramas, já que não se espera que ambas as empresas entrem na fase de produção em massa do HBM4E antes de 2027. Isso sugere que a liderança da Samsung pode marcar o início de uma grande mudança no cenário da indústria de memórias.

Em 28 de maio, a KB Securities elevou significativamente seu preço-alvo para a Samsung Electronics de 450.000 won para 530.000 won, observando que a próxima plataforma de IA Vera Rubin da NVIDIA aumentará a proporção dos custos de memória para 25%. Espera-se que a Samsung, com seu posicionamento em soluções de memória de próxima geração, seja uma das principais beneficiárias.

De retardatária na era HBM3E a líder na produção em massa de HBM4 e agora a primeira a entregar amostras de HBM4E, a Samsung mostrou melhorias significativas na integração técnica e na capacidade de fabricação. No entanto, a base de clientes e as reservas de produção da SK Hynix permanecem sólidas. Se a Samsung conseguirá traduzir sua vantagem pioneira em participação de mercado sustentada dependerá dos rendimentos de produção do HBM4E e do progresso de sua integração na plataforma Vera Rubin da NVIDIA até o final do ano. Os ganhos de curto prazo no preço das ações já precificaram parcialmente as expectativas otimistas; os desenvolvimentos futuros dependerão dos resultados da verificação das amostras.

Um rali noturno nas ações de semicondutores dos EUA e um alívio temporário dos riscos geopolíticos no Oriente Médio também impulsionaram o sentimento geral no mercado de ações coreano. O Nasdaq Composite fechou em alta de 0,91% na quinta-feira, AMD e ARM subindo 4,55% e 10,76%, respectivamente.