삼성, 엔비디아와 8단 HBM4E 개발 협력, 초기 샘플 대비 20% 속도 향상 목표

TradingKey - 8월 31일 아시아 태평양 시간 기준 한국 서울경제신문에 따르면, 삼성전자는 엔비디아(NVDA)의 요구사항에 따라 핀당 17~18Gbps 속도를 목표로 8단 HBM4E를 개발 중이다. 이는 삼성전자의 초기 HBM4E 샘플 속도인 14.4Gbps 대비 약 20% 향상된 수준이다. 이 제품은 NVHBM에 사용될 예정이다. 보도 시점 기준 삼성전자 관계자는 해당 보도에 대해 입장을 밝히지 않았다.

HBM4E 개발 소식에 힘입어 삼성전자는 오후 거래에서 하락세를 뒤집고 상승했다. 오전장에서는 연방준비제도(Fed)의 금리 인상 신호, 미국 반도체 관세 리스크, 레버리지 상품에 대한 증거금 요건을 올리는 한국의 신규 정책 등의 요인으로 인해 한국 증시가 전반적으로 하락 출발했으며, 삼성전자 주가는 한때 4% 이상 하락한 24만6000원(약 179달러)까지 밀리기도 했다.

오후 들어 속보가 전해진 후 주가는 상승 반전하여 1.17% 소폭 오른 26만 원으로 장을 마감했다.

[출처: TradingView]

엔비디아는 삼성전자에 기존에 계획했던 12단 및 16단 구성을 철회하고 이번에는 8단 HBM 솔루션을 채택할 것을 요청했다. 적층 수 감소는 웨이퍼 박화(thinning) 및 적층 패키징과 같은 후공정 난이도를 낮춰 수율 개선과 생산능력 확대에 도움이 된다. 시장에서는 이를 HBM 공급 부족에 대응하기 위한 엔비디아의 전략으로 보고 있다.

8월 26일, 엔비디아는 NVLink Fusion 플랫폼을 사용하는 맞춤형 AI 반도체 고객을 위해 설계된 HBM 솔루션인 NVHBM을 공식 출시했다.

이 솔루션은 메모리 컨트롤러를 메인 칩에서 HBM 스택의 베이스 다이로 이동시킨다. 표준 HBM4E 솔루션과 비교해 대역폭은 최대 30% 증가하고 소비 전력은 15% 감소하며, 메인 칩의 이용 가능한 연산 면적은 최대 25% 늘어난다. 아마존(AMZN) 자회사인 안나푸르나 랩스가 첫 번째 파트너다.

NVHBM과 같은 맞춤형 제품은 DRAM 칩과 로직 베이스 다이 모두에 대한 설계 및 제조 역량이 필요하다. 삼성전자는 DRAM 제조와 파운드리 사업을 모두 영위하고 있어 HBM DRAM 웨이퍼와 로직 베이스 다이를 자체 생산할 수 있으며, 이에 따라 맞춤형 HBM 시장에서 경쟁하는 핵심 공급업체로 업계에서 널리 평가받고 있다.

그러나 개발 단계에서의 협력은 양산 물량 수주와는 별개다. 삼성전자가 엔비디아와 8단 HBM4E를 개발하기 위해 협력한다고 해서 NVHBM의 대량 공급 계약을 확보했음을 의미하지는 않는다. 현재 공개된 정보에 따르면 양사 간의 구체적인 공급 물량과 일정은 공개되지 않았다.