SK Hynix steigt um über 8 % durch beschleunigte Umstellung auf 1c-DRAM-Prozess – Mainstream-Etablierung im 1. Quartal nächsten Jahres erwartet

TradingKey – Im asiatischen Handel am 7. September schloss die Aktie von SK Hynix mit einem Plus von 8,26 % bei 1,783 Millionen südkoreanischen Won (ca. 1.324,58 US-Dollar). Unterdessen zogen auch die Fortschritte des Unternehmens bei der Umstellung auf fortschrittliche DRAM-Prozessknoten die Aufmerksamkeit des Marktes auf sich.

[Quelle: TradingView]

Wie das südkoreanische Medium ChosunBiz unter Berufung auf Branchenkreise berichtet, baut SK Hynix den Kapazitätsanteil seines 1c-nm-Prozesses – der 10-nm-DRAM-Technologie der sechsten Generation – rasch aus.

[Quelle: ChosunBiz]

Branchenschätzungen zufolge stieg der Anteil von 1c-DRAM an der Gesamtkapazität des Unternehmens von rund 10 % im ersten Quartal dieses Jahres auf etwa 13 % im zweiten Quartal. Es wird erwartet, dass er im dritten Quartal auf rund 24 % steigt und im vierten Quartal etwa 34 % erreicht. Bis zum ersten Quartal 2027 dürfte der 1c-Anteil weiter auf etwa 35 % steigen und damit erstmals den 1b-Prozess (zu diesem Zeitpunkt bei geschätzten rund 33 %) übertreffen, um der größte DRAM-Prozessknoten von SK Hynix zu werden.

Unterdessen dürfte der Anteil von 1b-DRAM im zweiten Quartal dieses Jahres mit rund 43 % seinen Höchststand erreicht haben und mit der beschleunigten Umstellung auf 1c allmählich sinken. SK Hynix bestätigte zuvor in der Telefonkonferenz zu den Ergebnissen des zweiten Quartals, dass die Auslieferung von DRAM-Produkten auf Basis des 1c-Prozesses im zweiten Quartal offiziell begonnen hat.

HBM ist ein zentraler Anwendungsbereich für diese Prozessknoten-Umstellung. SK Hynix nutzt bei HBM4 weiterhin den ausgereiften 1b-DRAM, um die Stabilität in der Serienproduktion zu gewährleisten, während bei der nächsten Generation HBM4E erstmals 1c-DRAM als Core-Die eingesetzt wird.

In der Telefonkonferenz im April dieses Jahres erklärte das Unternehmen, dass es plant, in der zweiten Hälfte des Jahres 2026 HBM4E-Muster bereitzustellen und die Serienproduktion für 2027 anzustreben. Die tatsächlichen Fortschritte liegen im Rahmen der Erwartungen: Am 18. Juni gab SK Hynix bekannt, dass es Muster von 12-schichtigem HBM4E an wichtige Kunden ausgeliefert hat. Das Produkt erreicht eine maximale Übertragungsrate von 16 Gbit/s pro Pin, wobei die Energieeffizienz gegenüber der vorherigen Generation um mehr als 20 % verbessert wurde.

Aus Perspektive des Branchenvergleichs lagen die 1c-DRAM-Anteile von Samsung Electronics und Micron (MU) laut von ChosunBiz zitierten Branchenschätzungen Ende des zweiten Quartals dieses Jahres bei rund 16 % bzw. 19 % ihrer jeweiligen DRAM-Kapazitäten und damit höher als der Wert von SK Hynix von etwa 13 % im selben Zeitraum.

SK Hynix beschleunigt jedoch in der zweiten Jahreshälfte seine Umstellung auf den 1c-Prozess. Dem Bericht zufolge wird erwartet, dass der 1c-Anteil von SK Hynix bis zum vierten Quartal etwa 34 % erreicht und damit die rund 31 % von Samsung Electronics im selben Zeitraum übertrifft.

Mit dem steigenden Anteil von 1c-DRAM und dem erweiterten Angebot an hochwertigen Produkten wie Servern, KI und HBM dürfte der erhöhte Bit-Output pro Wafer durch fortschrittlichere Fertigungsknoten die Kostenwettbewerbsfähigkeit stärken und die Margenstruktur verbessern.

SK Hynix geht davon aus, dass die Bit-Wachstumsrate in der zweiten Jahreshälfte durch den Ausbau der HBM4-Kapazitäten in der zweiten Jahreshälfte und höhere Auslieferungen von Standard-DRAM auf Basis des 1c-Prozesses höher ausfallen wird als in der ersten Jahreshälfte.

Aktuellen Branchenprognosen zufolge dürfte 1c im ersten Quartal des nächsten Jahres zum Hauptprozessknoten des Unternehmens werden und die Kapazitäts- und Prozessgrundlage für die anschließende Serienproduktion von HBM4E bieten.