Samsung entwickelt mit Nvidia 8-lagigen HBM4E und strebt 20 % höhere Geschwindigkeit gegenüber ersten Mustern an
Samsung Electronics entwickelt im Auftrag von Nvidia ein 8-lagiges HBM4E mit 17 bis 18 Gbit/s pro Pin für NVHBM, was die Ausbeute verbessern soll. Nach anfänglichen Kursverlusten aufgrund makroökonomischer und zollpolitischer Risiken stieg die Samsung-Aktie am 31. August (asiatisch-pazifische Zeit) nach Bekanntwerden der Nachricht um 1,17 %. Trotz Samsungs starker Position durch eigene DRAM- und Foundry-Kapazitäten für kundenspezifische HBM-Lösungen garantiert die Entwicklungszusammenarbeit noch keinen festen Serienfertigungsvertrag, da konkrete Liefermengen und Zeitpläne bislang nicht kommuniziert wurden.

TradingKey – Wie die südkoreanische Seoul Economic Daily am 31. August (asiatisch-pazifische Zeit) berichtete, entwickelt Samsung Electronics gemäß den Anforderungen von Nvidia (NVDA) ein 8-lagiges HBM4E mit angestrebten Geschwindigkeiten von 17 bis 18 Gbit/s pro Pin – eine Steigerung um etwa 20 % gegenüber der Geschwindigkeit von 14,4 Gbit/s der ersten HBM4E-Muster von Samsung. Das Produkt soll für NVHBM verwendet werden. Bis zum Redaktionsschluss hatten sich Vertreter von Samsung nicht zu dem Bericht geäußert.
Angetrieben von den Nachrichten über die HBM4E-Entwicklung machte Samsung Electronics frühere Verluste wett und legte im Nachmittagshandel zu. Im Frühhandel waren die südkoreanischen Aktienmärkte auf breiter Front schwächer gestartet, belastet durch Faktoren wie Zinsanhebungssignale der US-Notenbank, Risiken durch US-Chipzölle und neue südkoreanische Richtlinien zur Erhöhung der Margin-Anforderungen für gehebelte Produkte. Dabei brach Samsung Electronics zeitweise um mehr als 4 % auf 246.000 Won (ca. 179 US-Dollar) ein.
Nachdem die Nachricht am Nachmittag bekannt wurde, drehte die Aktie wieder ins Plus und schloss mit einem leichten Plus von 1,17 % bei 260.000 Won.

[Quelle: TradingView]
Nvidia forderte Samsung dazu auf, diesmal eine 8-lagige HBM-Lösung zu nutzen und die zuvor geplanten 12-lagigen sowie 16-lagigen Konfigurationen aufzugeben. Die Verringerung der Lagenzahl reduziert die Komplexität von Backend-Prozessen wie dem Wafer-Dünnen und dem Stacking-Packaging, was zur Verbesserung der Ausbeute und zum Ausbau der Produktionskapazitäten beiträgt. Am Markt wird dies weitgehend als Strategie von Nvidia gewertet, um HBM-Lieferengpässen entgegenzuwirken.
Am 26. August stellte Nvidia offiziell NVHBM vor, eine HBM-Lösung für Kunden maßgeschneiderter KI-Chips auf Basis der NVLink-Fusion-Plattform.
Bei dieser Lösung wird der Speichercontroller vom Hauptchip auf den Base Die des HBM-Stapels verlagert. Im Vergleich zur Standard-HBM4E-Lösung erhöht sich die Bandbreite um bis zu 30 %, der Energieverbrauch sinkt um 15 % und die verfügbare Rechenfläche auf dem Hauptchip vergrößert sich um bis zu 25 %. Annapurna Labs, eine Tochtergesellschaft von Amazon (AMZN), ist der erste Partner.
Maßgeschneiderte Produkte wie NVHBM erfordern Design- und Fertigungskapazitäten sowohl für DRAM-Chips als auch für Logik-Base-Dies. Da Samsung sowohl in der DRAM-Herstellung als auch im Foundry-Geschäft tätig ist, kann das Unternehmen HBM-DRAM-Wafer und Logik-Base-Dies im eigenen Haus herstellen. In der Branche gilt Samsung daher weitgehend als Schlüssellieferant im Wettbewerb um den Markt für kundenspezifisches HBM.
Eine Zusammenarbeit in der Entwicklungsphase unterscheidet sich jedoch vom Erhalt von Serienfertigungsaufträgen. Die Kooperation von Samsung mit Nvidia bei der Entwicklung von 8-lagigem HBM4E bedeutet nicht zwangsläufig, dass ein Massenliefervertrag für NVHBM gesichert wurde. In den bisher öffentlich zugänglichen Informationen wurden keine konkreten Liefermengen und Zeitpläne zwischen den beiden Parteien bekannt gegeben.
Dieser Inhalt wurde KI-übersetzt und von Menschen überprüft. Er dient nur zu Referenz- und Informationszwecken und stellt keine Anlageberatung dar.
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