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Samsung liefert als Erstes HBM4E-Muster aus, beschleunigt Aufholjagd auf SK Hynix im KI-Speichermarkt

TradingKeyMay 29, 2026 2:56 AM

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Samsung hat als erstes Unternehmen 12-lagige HBM4E-Speichermuster ausgeliefert und damit potenziell die Lücke zu SK Hynix im KI-Speichermarkt geschlossen. Die neuen Muster bieten 48 GB Kapazität und bis zu 16 Gbit/s Pin-Geschwindigkeit, eine Steigerung um über 20 % gegenüber HBM4. Dies übertrifft die erwartete Zeitplanung von SK Hynix und Micron für HBM4E-Musterlieferungen. Analysten sehen darin eine signifikante Wende, die Samsung als Hauptnutznießer der bevorstehenden NVIDIA Vera Rubin KI-Plattform positioniert. Kurzfristige Kursgewinne preisen bereits Optimismus ein, aber nachhaltiger Erfolg hängt von Produktionsausbeuten und NVIDIA-Integration ab.

Von der KI erstellte Zusammenfassung

TradingKey – Während des asiatischen Handels am 29. Mai gab Samsung Electronics bekannt, mit der Auslieferung der branchenweit ersten 12-lagigen HBM4E-Muster an weltweite Kunden begonnen zu haben. Diese Nachricht ließ die Aktien des Unternehmens im Tagesverlauf um fast 6 % steigen, da am Markt die Erwartung wuchs, dass Samsung den Rückstand auf SK Hynix im Markt für KI-Speicher aufholen wird.

Bis 11:33 Uhr Ortszeit in Seoul stieg der Aktienkurs von Samsung Electronics um 4,01 % auf 311.500 Koreanische Won und erreichte damit ein neues Rekordhoch. Der Korea Composite Stock Price Index (KOSPI) legte im gleichen Zeitraum um rund 2,3 % zu.

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[Quelle: TradingView]

Samsung erklärte, dass die HBM4E-Muster (High Bandwidth Memory) eine 12-lagige Architektur mit einer Kapazität von 48 Gigabyte (GB) und Pin-Geschwindigkeiten von bis zu 16 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) aufweisen – eine Verbesserung von über 20 % im Vergleich zum in Serie gefertigten HBM4 – bei einer Speicherbandbreite von 3,6 Terabyte pro Sekunde (TB/s) pro Stack. Das Unternehmen plant zudem die Markteinführung von 32-GB- (8-lagig) und 64-GB-Versionen (16-lagig).

„Nach der erfolgreichen Massenproduktion von HBM4 hat Samsung mit HBM4E erneut seine einzigartigen technischen Vorteile unter Beweis gestellt“, sagte Sang-Joon Hwang, Executive Vice President und Leiter der Abteilung Memory Product & Technology bei Samsung Electronics, in einer Mitteilung.

In der Ära von HBM3E dominierte SK Hynix den Markt dank seines First-Mover-Vorteils, während Samsung aufgrund strategischer Fehlentscheidungen bei der technischen Roadmap und niedriger Produktionsausbeuten ins Hintertreffen geriet. Erst im September 2025 bestanden die 12-lagigen HBM3E-Produkte von Samsung die Tests von NVIDIA, was es dem Unternehmen ermöglichte, mit der Aufholjagd auf die Konkurrenz zu beginnen.

Nachdem Samsung jedoch im Februar dieses Jahres die Führung bei der Massenproduktion von HBM4 übernommen hatte, hat das Unternehmen nun präventiv HBM4E-Muster ausgeliefert und damit SK Hynix erfolgreich überholt sowie dessen langjährigen First-Mover-Vorteil durchbrochen. Branchenanalysen zufolge wird SK Hynix HBM4E-Muster voraussichtlich in der zweiten Jahreshälfte 2026 liefern, wobei die Massenproduktion für 2027 geplant ist.

Analysten wiesen darauf hin, dass dies Micron und SK Hynix hinsichtlich ihrer Zeitfenster unter erheblichen Druck setzen wird, da beide Unternehmen voraussichtlich erst 2027 in die HBM4E-Massenproduktionsphase eintreten werden. Dies deutet darauf hin, dass der Vorsprung von Samsung den Beginn eines bedeutenden Wandels in der Landschaft der Speicherindustrie markieren könnte.

Am 28. Mai hob KB Securities das Kursziel für Samsung Electronics deutlich von 450.000 Won auf 530.000 Won an und merkte an, dass die kommende Vera-Rubin-KI-Plattform von NVIDIA den Anteil der Speicherkosten auf 25 % erhöhen wird. Samsung wird aufgrund seiner Positionierung bei Speicherlösungen der nächsten Generation voraussichtlich ein Hauptprofiteur sein.

Vom Nachzügler in der HBM3E-Ära über die Führung bei der HBM4-Massenproduktion bis hin zur nun erfolgten ersten Auslieferung von HBM4E-Mustern hat Samsung signifikante Fortschritte bei der technischen Integration und den Fertigungskapazitäten gezeigt. Dennoch bleiben der Kundenstamm und die Produktionsreserven von SK Hynix solide. Ob Samsung seinen First-Mover-Vorteil in dauerhafte Marktanteile ummünzen kann, wird von den Produktionsausbeuten bei HBM4E und dem Fortschritt der Integration in NVIDIAs Vera-Rubin-Plattform bis Jahresende abhängen. Kurzfristige Kursgewinne haben optimistische Erwartungen teilweise bereits eingepreist; die künftige Entwicklung wird von den Ergebnissen der Musterüberprüfung abhängen.

Eine übernächtliche Rallye bei US-Halbleiteraktien und eine vorübergehende Entspannung der geopolitischen Risiken im Nahen Osten stützten zudem die allgemeine Stimmung am koreanischen Aktienmarkt. Der Nasdaq Composite schloss am Donnerstag 0,91 % höher, AMD und ARM stiegen um 4,55 % bzw. 10,76 %.

Dieser Inhalt wurde KI-übersetzt und von Menschen überprüft. Er dient nur zu Referenz- und Informationszwecken und stellt keine Anlageberatung dar.

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Geprüft vonJay Qian
Haftungsausschluss: Der Inhalt dieses Artikels stellt ausschließlich die persönlichen Meinungen des Autors dar und spiegelt nicht die offizielle Haltung von Tradingkey wider. Er sollte nicht als Anlageberatung betrachtet werden. Der Artikel dient nur zu Referenzzwecken, und Leser sollten keine Anlageentscheidungen ausschließlich auf dessen Inhalt basieren. Tradingkey übernimmt keine Verantwortung für Handelsergebnisse, die sich aus dem Vertrauen auf diesen Artikel ergeben. Darüber hinaus kann Tradingkey die Genauigkeit des Inhalts des Artikels nicht garantieren. Bevor Sie Anlageentscheidungen treffen, ist es ratsam, einen unabhängigen Finanzberater zu konsultieren, um die damit verbundenen Risiken vollständig zu verstehen.

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