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Nachfrage nach KI-Speicherchips steigt sprunghaft an, SK Hynix und Samsung liefern sich ein Rennen um den deutlichen Kapazitätsausbau

TradingKeyJun 11, 2026 4:00 AM

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Angesichts der stark steigenden Nachfrage nach KI-Speicherchips bauen SK Hynix und Samsung Electronics ihre Produktionskapazitäten massiv aus. SK Hynix plant, seine Wafer-Kapazität bis 2034 zu verdreifachen, mit einem Fokus auf das Werk in Yongin und einer prognostizierten Steigerung auf 1 Million Einheiten pro Monat bis 2030/2031. Samsung kündigt den Bau einer neuen, hochmodernen Halbleiter-Packaging-Anlage in Gwangju an und erweitert seine Kapazitäten für fortschrittliches HBM-Packaging. Beide südkoreanischen Giganten investieren strategisch, um ihre Marktposition im KI-Sektor zu sichern.

Von der KI erstellte Zusammenfassung

TradingKey - Während sich der Einsatz von KI-Technologien beschleunigt, nimmt die weltweite Nachfrage nach Hochleistungsspeicherchips weiter rasant zu. Die beiden führenden südkoreanischen Halbleitergiganten, SK Hynix und Samsung Electronics, haben kürzlich umfassende Pläne zum Kapazitätsausbau angekündigt, um sich strategisch innerhalb der KI-Chip-Lieferkette zu positionieren.

SK Hynix: Wafer-Kapazität soll sich bis 2034 verdreifachen

Der Vorstandsvorsitzende der SK Group, Chey Tae-won, gab kürzlich gegenüber Nikkei Asia bekannt, dass SK Hynix plane, seine gesamte Wafer-Kapazität bis 2034 zu verdreifachen, um die wachsende Nachfrage nach Speicherchips zu decken, die durch künstliche Intelligenz vorangetrieben wird; er erwartet, dass sich die Wafer-Kapazität innerhalb von fünf Jahren verdoppeln wird.

SK Hynix hat seine Expansionspläne mit wichtigen Zulieferern geteilt, mit dem Kernziel, die monatliche DRAM-Wafer-Kapazität von derzeit etwa 550.000 Einheiten bis etwa 2030 auf rund 1 Million Einheiten zu steigern, wobei etwa 200.000 Einheiten aus seinem Werk in Wuxi, China, stammen sollen.

Der Großteil der zusätzlichen Kapazität wird aus dem Halbleiter-Industriecluster Yongin stammen. SK Hynix hat den Zeitplan für den Bau der Wafer-Fabrik in Yongin deutlich vorgezogen, wobei die erste Phase voraussichtlich Anfang nächsten Jahres abgeschlossen sein wird. Die erste Phase des Werks in Yongin ist in sechs Reinräume unterteilt; jeder Reinraum wird nach der Inbetriebnahme schrittweise eine monatliche Kapazität von 60.000 Einheiten hinzufügen, sodass allein das erste Werk bis zur ersten Jahreshälfte 2030 eine monatliche DRAM-Kapazität von 360.000 Einheiten beisteuern kann.

Unterdessen soll die M15X-Wafer-Fabrik von SK Hynix in Cheongju in der zweiten Jahreshälfte dieses Jahres den Betrieb aufnehmen, mit einer anfänglichen monatlichen Kapazität von 40.000 Einheiten, die bis 2027 auf etwa 80.000 Einheiten steigen soll. In Kombination mit den Expansionsbeiträgen aus Yongin Phase I und M15X dürfte die monatliche DRAM-Wafer-Kapazität von SK Hynix zwischen 2030 und 2031 etwa 1 Million Einheiten erreichen.

Im Anschluss an die inländische Expansion plant die SK Group zudem eine Zusammenarbeit mit Nvidia ( NVDA), um zwischen 2028 und 2029 ein KI-Rechenzentrum in Japan zu errichten.

Samsung Electronics: Erste neue Packaging-Anlage seit 35 Jahren.

Samsung Electronics erwägt den Bau einer neuen, hochmodernen Halbleiter-Packaging-Anlage in Gwangju, Südkorea. Dies wäre Samsungs erster neuer Packaging-Standort seit 35 Jahren und die erste Eröffnung einer größeren Halbleiter-Produktionsstätte seit elf Jahren, seit dem Spatenstich für den Campus in Pyeongtaek.

Laut südkoreanischen Medienberichten könnte Samsung diesen Investitionsplan bereits beim Treffen des südkoreanischen Präsidenten mit den Chefs der großen Mischkonzerne am 29. Juni offiziell bekannt geben. Sobald das Werk in Gwangju fertiggestellt ist, wird sich die Präsenz von Samsungs Packaging-Sparte von den traditionellen Stützpunkten in der Provinz Chungcheong (wie Onyang in Asan und Cheonan) nach Süden in die Region Honam ausweiten.

In Bezug auf die technische Roadmap baut Samsung die HBM-Back-End-Verarbeitungskapazitäten am Standort Cheonan massiv aus. Ziel ist es, die monatliche Kapazität für Thermal Compression Bonding (TCB) bis Ende 2026 auf 231.000 Einheiten und für Hybrid Copper Bonding (HCB) auf 19.500 Einheiten zu steigern. Darüber hinaus plant Samsung, sein HBM-Stacking-Verfahren im Jahr 2029 vollständig von TCB auf HCB umzustellen, was das kontinuierliche Engagement des Unternehmens für fortschrittliche Packaging-Technologien der nächsten Generation unterstreicht.

Im Bereich der Auslandsaktivitäten beabsichtigt Samsung, rund 1,5 Milliarden US-Dollar in Vietnam in den Bau einer Halbleiter-Testanlage zu investieren. Der Bau der Anlage begann im April 2026, die offizielle Produktion soll voraussichtlich im November 2027 anlaufen.

Analysten weisen darauf hin, dass angesichts der explodierenden Nachfrage nach KI-Rechenleistung fortschrittliches Packaging und Hochleistungsspeicherchips zu strategisch entscheidenden Feldern im Wettbewerb der Halbleiterindustrie geworden sind. SK Hynix und Samsung nutzen massive Kapitalerweiterungen und eine klare Kapazitätsplanung, um die Marktchancen im KI-Zeitalter aktiv zu ergreifen.

Dieser Inhalt wurde KI-übersetzt und von Menschen überprüft. Er dient nur zu Referenz- und Informationszwecken und stellt keine Anlageberatung dar.

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Geprüft vonJay Qian
Haftungsausschluss: Der Inhalt dieses Artikels stellt ausschließlich die persönlichen Meinungen des Autors dar und spiegelt nicht die offizielle Haltung von Tradingkey wider. Er sollte nicht als Anlageberatung betrachtet werden. Der Artikel dient nur zu Referenzzwecken, und Leser sollten keine Anlageentscheidungen ausschließlich auf dessen Inhalt basieren. Tradingkey übernimmt keine Verantwortung für Handelsergebnisse, die sich aus dem Vertrauen auf diesen Artikel ergeben. Darüber hinaus kann Tradingkey die Genauigkeit des Inhalts des Artikels nicht garantieren. Bevor Sie Anlageentscheidungen treffen, ist es ratsam, einen unabhängigen Finanzberater zu konsultieren, um die damit verbundenen Risiken vollständig zu verstehen.

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