三星和SK海力士據報正升級中國工廠以生產更先進芯片

四位知情人士稱，三星電子（005930.KS）和SK海力士（000660.KS）正在升級其中國工廠，以生產更先進的存儲芯片，滿足巨大的人工智能（AI）需求。

三星和SK海力士在聲明中證實，升級正在進行，並且是在與美國華盛頓密切磋商下進行的，但沒有披露生產計劃細節。

據知情人士稱，這兩家公司正努力在中國工廠生產超過200層的閃存NAND存儲芯片，這將使其與韓國本土生產水平一致。

NAND是一種斷電後仍能保留數據的存儲芯片，廣泛用於智能手機、個人電腦和AI數據中心固態硬盤。每顆芯片層數越多，意味着存儲密度越高、成本越低。

三星瞄準286層芯片

其中兩位知情人士稱，三星位於中國西安的工廠約佔該公司全球NAND產量的40%，目前生產約200層芯片。

其中一位知情人士稱，作爲內部代號“Monami”（源自法語“我的朋友”）項目的一部分，三星正將該工廠改造爲生產286層V9 NAND芯片，目標是今年12月月產5000片晶圓，到2027年12月躍升至4萬片。

三星表示，其升級符合美國出口法規，並補充說：“此次升級旨在滿足全球客戶（包括美國客戶）不斷增長的需求。公司沒有擴大產能，也沒有新建制造設施。”

三位知情人士稱，SK海力士正尋求在其位於中國大連工廠轉產240層及以上NAND產品。

一位知情人士說，該公司目前在大連生產192層產品。

SK海力士在2021年收購英特爾NAND業務時獲得了大連工廠，該工廠仍是該業務唯一的NAND芯片製造基地。該業務現名爲Solidigm，正在籌備在美國首次公開募股（IPO）。

其中一位知情人士說，該公司獲准在大連生產最高240層的芯片，並可能尋求美國華盛頓許可，在大連研發300層以上芯片，這將有助於其爲未來在美國潛在生產奠定基礎。該公司正與特朗普政府就美國新建NAND工廠的計劃進行討論。