三星獲英偉達首肯！HBM3E晶片通過認證 大漲5%創一年多新高

TradingKey - 根據韓媒報道，三星電子的第五代12層HBM3E高頻寬儲存在經歷18個月的失敗後，終於通過英偉達的品質認證測試，標誌著該公司恢復了在半導體行業的競爭力。消息帶動三星韓股（005930.KS）在周一早盤大漲5%，創下一年多來的新高。

消息人士表示，因為三星是繼SK海力士和美光之後第三家獲英偉達認證的供應商，預計其對英偉達的晶片供應量較小，但本次通過認證仍有重要意義，有望消除市場對三星晶片過去存在的發熱等技術問題的爭議。另外，三星的HBM3E也通過了AMD MI350的測試，並可與英偉達的新B300 Blackwell Ultra GPU搭配使用。

不過，目前高頻寬儲存的技術競爭已轉移到第六代的HBM4了。英偉達計劃在明年上市的下一代圖形架構Vera Rubin架構上首次使用這種晶片。

英偉達要求供應商生產的HBM4運行速度將達到10Gbps，超過8Gbps的行業標準。目前，SK海力士已宣佈達到10Gbps速度，而知情人士透露，三星已超過SK海力士達到11Gbps，美光則還難以滿足此要求。SK海力士是目前美國AI晶片設計商HBM晶片的主要供應商。

三星計劃本月向英偉達大量出貨HBM4樣品以儘早獲得資格認證。該公司今年稍早與英偉達、博通、谷歌等主要的AI晶片製造商就供應HBM4晶片進行了談判 ，表示最早可能在2026年上半年開始向客戶大量供應HBM4晶片。

分析認為，若HBM4能通過英偉達品質認證測試，三星可望奪回AI計算核心記憶體領域的市場份額，屆時SK海力士、三星與美光之間的競爭將加劇。

本月早些時候，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的開發，並準備開始量產。該公司韓股（000660.KS）近一個月已上漲40%。