據報導，SK海力士考慮採用英特爾HBM4E基礎晶片，尋求降低對台積電依賴

TradingKey - 據韓國媒體最新報導，SK 海力士（SKHY）正考慮與英特爾（INTC）晶圓代工業務合作，將下一代 HBM4E 基礎裸晶的部分生產交由英特爾負責，以擴大供應來源。目前相關方案仍處於評估階段，雙方尚未敲定具體合作規模和時間。

HBM 基礎裸晶位於多層 DRAM 晶片底部，主要負責連接 HBM 與 GPU 等處理器，並承擔資料傳輸和控制功能。隨著 HBM 效能不斷提升，基礎裸晶的重要性也明顯增加。SK 海力士此前的 HBM3E 基礎裸晶主要採用內部製程，而從 HBM4 開始，公司轉向採用台積電（TSM）的先進邏輯製程。

目前，SK 海力士 HBM4 產品的基礎裸晶採用台積電 12 奈米級製程。韓國媒體援引業界估算指出，台積電生產的 HBM4 基礎裸晶成本可能達到核心 DRAM 裸晶的 3 至 4 倍。隨著 HBM4E 進入量產準備階段，SK 海力士正尋求更多晶圓代工選擇，以降低製造成本並增強供應鏈穩定性。

根據報導，SK 海力士未來可能從 HBM4E 開始同時採用台積電和英特爾兩家供應商生產基礎裸晶，而不是完全從台積電轉向英特爾。此外，公司還在評估雙方的先進封裝技術，包括台積電 CoWoS-S、CoWoS-L 以及英特爾 EMIB。

SK 海力士已經加快 HBM4E 產品推進。今年 6 月，公司宣布向主要客戶出貨 12 層 HBM4E 樣品，產品最高資料傳輸速度達到 16Gbps，功耗效率較上一代提升超過 20%，並計劃與客戶推進後續量產。

若最終達成合作，這將成為英特爾晶圓代工業務進入下一代 HBM 供應鏈的重要進展，同時也意味著 SK 海力士的 HBM 供應鏈可能從目前主要依賴台積電，逐步轉向多供應商模式。不過，目前 SK 海力士與英特爾尚未正式宣布 HBM4E 基礎裸晶代工協議，具體生產安排仍有待進一步確認。