Kioxia hợp tác với SanDisk trong kế hoạch mở rộng hơn 31 tỷ USD tại Nhật Bản: Liệu họ có thể bắt kịp Samsung và SK Hynix?

Là trọng tâm của khoản đầu tư này, Kioxia có kế hoạch xây dựng nhà máy sản xuất thứ ba (Fab3) tại cơ sở Kitakami thuộc tỉnh Iwate, với tổng ngân sách đầu tư là 1,8 nghìn tỷ Yên (bao gồm khoản đầu tư xây dựng cơ sở ban đầu hơn 1 nghìn tỷ Yên).

Dự án sẽ được hợp tác xây dựng cùng SanDisk và chuyên phục vụ sản xuất quy mô lớn các dòng chip bộ nhớ flash 3D NAND mật độ cao tiên tiến nhất, nhằm đáp ứng đầy đủ nhu cầu lưu trữ cao cấp đang tăng mạnh được thúc đẩy bởi các máy chủ AI và trung tâm dữ liệu đám mây.

Kế hoạch mở rộng này đã có nền tảng từ trước. Vào tháng 7 năm nay, Kioxia và SanDisk đã bắt đầu sản xuất quy mô lớn bộ nhớ flash 3D thế hệ thứ 10 tại nhà máy Fab2 (K2) ở Kitakami. Cơ sở này hoàn thành vào tháng 9 năm 2025 và trước đó đã sản xuất quy mô lớn các sản phẩm thế hệ thứ 8, hiện cả hai thế hệ đều đang được sản xuất đồng thời.

Việc sản xuất quy mô lớn diễn ra thuận lợi tại cơ sở K2 đã chứng minh năng lực công nghệ và hiệu quả công suất của cơ sở Kitakami, tạo kinh nghiệm nền tảng cho việc xây dựng nhà máy mới. Hai công ty đã hợp tác trong lĩnh vực bộ nhớ flash 3D hơn 25 năm và đã gia hạn khung thỏa thuận liên doanh đến tháng 12 năm 2034 vào đầu năm nay.

Bối cảnh cho đợt mở rộng công suất quy mô lớn của Kioxia là sự mất cân bằng cung - cầu mang tính cơ cấu trên thị trường chip nhớ toàn cầu. Nhu cầu gia tăng về bộ nhớ và lưu trữ từ các trung tâm dữ liệu đã đẩy giá các sản phẩm lưu trữ lên cao, làm thu hẹp biên lợi nhuận của các nhà sản xuất máy chủ và nhà sản xuất thiết bị đầu cuối ở hạ nguồn.

Nhằm ứng phó với tình hình này, các đối thủ Hàn Quốc là Samsung Electronics và SK Hynix (SKHY) đã lần lượt công bố các kế hoạch mở rộng quy mô lớn.

Kazuyoshi Saito, chuyên gia phân tích cấp cao tại IwaiCosmo Securities, tin rằng Kioxia nhiều khả năng đã đảm bảo được các hợp đồng dài hạn thuận lợi với khách hàng cho đợt mở rộng này, mang lại sự đảm bảo cho tăng trưởng trong tương lai và đóng vai trò là "một tín hiệu cực kỳ tích cực". Các chuyên gia phân tích của Citi (C) trước đó đã lưu ý trong một báo cáo rằng các thỏa thuận dài hạn có thể làm giảm biến động lợi nhuận trong các chu kỳ đi xuống của thị trường NAND.

Ngoài ra, Kioxia và SanDisk sẽ nộp đơn xin trợ cấp từ chính phủ Nhật Bản để xây dựng nhà máy mới. Trong những năm gần đây, Nhật Bản đã tích cực hỗ trợ ngành sản xuất bán dẫn trong nước, cung cấp khoản hỗ trợ tài chính quy mô lớn cho các công ty như TSMC (TSM), Tập đoàn Sony (SONY) và Micron Technology (MU). Các khoản trợ cấp của chính phủ giúp giảm gánh nặng chi phí vốn, khẳng định sản xuất chip nhớ được Nhật Bản coi là một ngành công nghiệp chiến lược.

Về phân bổ công suất, nhà máy mới tại Kitakami, tỉnh Iwate, sẽ tập trung sản xuất chip NAND cao cấp cho các trung tâm dữ liệu, trong khi nhà máy Yokkaichi tại tỉnh Mie vẫn tập trung vào chip dành cho các thiết bị điện tử tiêu dùng như điện thoại thông minh, tạo ra sự phân công sản xuất khác biệt giữa hai cơ sở.

Chip dành cho trung tâm dữ liệu và chip cho thiết bị điện tử tiêu dùng có các yêu cầu kỹ thuật khác nhau; việc sản xuất riêng biệt giúp giảm chi phí chuyển đổi quy trình và tối ưu hóa quản lý chuỗi cung ứng.

Dù thông tin mở rộng công suất đã củng cố niềm tin của thị trường đối với Kioxia, công ty vẫn phải đối mặt với các rủi ro mang tính chu kỳ. Trong lịch sử, ngành bộ nhớ từng trải qua nhiều chu kỳ đầu tư mạnh mẽ lặp đi lặp lại trong giai đoạn nhu cầu đạt đỉnh, theo sau là tình trạng dư thừa nguồn cung. Việc mở rộng công suất có chuyển hóa thành giá trị dài hạn hay không phụ thuộc vào tính bền vững của nhu cầu bộ nhớ AI và sự ổn định của các khách hàng hợp đồng dài hạn.

Đối với các nhà đầu tư, kế hoạch mở rộng này vừa là tín hiệu tăng trưởng, vừa là bài kiểm tra đối với khả năng nhận định của họ về các chu kỳ ngành. Tuy nhiên, các chu kỳ mở rộng trong quá khứ của ngành bộ nhớ đều đi kèm với sự biến động về giá, và liệu lịch sử có lặp lại lần này hay không vẫn cần phải theo dõi thêm.

Xét từ cục diện thị trường hiện tại, Kioxia vẫn rất khó bắt kịp Samsung và SK Hynix trong ngắn hạn.

Theo báo cáo thị trường bộ nhớ quý 2/2026 do Counterpoint Research công bố ngày 12/8, Samsung dẫn đầu thị trường trong quý 2/2026 với thị phần giao hàng khoảng 25%, SK Hynix chiếm khoảng 22%, và Kioxia xếp thứ tư với khoảng 14%. Khoảng cách thị phần giữa Kioxia và Samsung ở mức khoảng 11 điểm phần trăm.

[Nguồn: Counterpoint Research]

Tuy nhiên, Kioxia đã thể hiện quyết tâm bứt phá đuổi kịp. Trung tâm dữ liệu là phân khúc tăng trưởng nhanh nhất trên thị trường NAND, nhưng Kioxia đang tụt hậu so với các đối thủ Hàn Quốc ở mảng này. Kế hoạch mở rộng trị giá 31 tỷ USD trực tiếp giải quyết khoảng cách này, với nhà máy Kitakami mới chuyên sản xuất chip bộ nhớ flash 3D mật độ cao cho các trung tâm dữ liệu AI, tạo nên sự phân công sản xuất biệt lập so với định hướng thiết bị điện tử tiêu dùng của nhà máy Yokkaichi.

Dù vậy, các đối thủ cạnh tranh không hề đứng yên. Cả hai công ty Hàn Quốc đều đang đồng thời mở rộng công suất, và Samsung đã bắt đầu sản xuất quy mô lớn các ổ lưu trữ cho trung tâm dữ liệu phục vụ nền tảng Vera Rubin của Nvidia ngay trong quý này, qua đó củng cố thêm ưu thế của mình trên thị trường doanh nghiệp.

Nhìn chung, việc mở rộng công suất của Kioxia là một bước đi cần thiết nhằm thu hẹp khoảng cách thị phần với các đối thủ hàng đầu, nhưng khả năng vượt qua họ trong ngắn hạn vẫn ở mức thấp.

Nội dung này được dịch bằng trí tuệ nhân tạo và đã được hiệu đính cho dễ hiểu hơn. Chỉ mang tính chất tham khảo.